北京全路通信信号研究设计院集团有限公司黄瑶获国家专利权
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龙图腾网获悉北京全路通信信号研究设计院集团有限公司申请的专利支持伪操作暂停和恢复的闪存存储器设备及控制方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120295584B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510773066.2,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权支持伪操作暂停和恢复的闪存存储器设备及控制方法是由黄瑶;靳旭;刘迥;李孟晗;林子明设计研发完成,并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本支持伪操作暂停和恢复的闪存存储器设备及控制方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种支持伪操作暂停和恢复的闪存存储器设备及控制方法,所述设备包括伪操作暂停和恢复控制模块、Flash阵列基本操作模块、以及容量可定制Flash阵列;所述伪操作暂停和恢复控制模块,用于负责接收和处理上位机发送的操作命令,并将处理后的所述命令发送给所述Flash阵列基本操作模块;所述Flash阵列基本操作模块,用于负责对接收到的读取、编程以及擦除操作命令进行处理,通过多个eFLASHIP的调度控制,保证闪存存储器正确执行读取、编程以及擦除操作;所述容量可定制Flash阵列,用于执行各项命令操作。本发明实现了闪存存储器的编程擦除暂停和恢复操作,确保编程暂停命令和擦除暂停命令的正确应答,提高存储器的效率及可靠性。
本发明授权支持伪操作暂停和恢复的闪存存储器设备及控制方法在权利要求书中公布了:1.一种支持伪操作暂停和恢复的闪存存储器设备,其特征在于,包括伪操作暂停和恢复控制模块、Flash阵列基本操作模块、以及容量可定制Flash阵列三个模块组成,其中: 所述伪操作暂停和恢复控制模块,用于负责接收和处理上位机发送的读取、编程、擦除、以及编程擦除暂停及恢复的操作命令,并将处理后的所述命令发送给所述Flash阵列基本操作模块; 所述Flash阵列基本操作模块,用于负责对接收到的读取、编程以及擦除操作命令进行处理,通过多个eFLASHIP的调度控制所述容量可定制Flash阵列,保证闪存存储器正确执行读取、编程以及擦除操作;所述Flash阵列基本操作模块,通过控制多个eFLASHIP,实现读取、编程、以及擦除操作,其中, 所述读取操作,分为读数据操作和读状态操作两种,具体为,所述容量可定制Flash阵列在执行编程擦除操作时,读取操作为读状态操作,读出的是闪存的状态;否则,读取操作为读数据操作,读出的是闪存地址的数据; 所述编程擦除操作,采用操作寄存器和数据存储器存储多个eFLASHIP的操作信息,其中,所述操作寄存器,分为编程操作寄存器和擦除操作寄存器,分别用于存储编程和擦除操作的扇区eFLASHIP信息;所述数据存储器,用于存储编程操作的数据; 所述容量可定制Flash阵列,用于执行各项命令操作。
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