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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种基于Si/SiC集约型冗余模块双端共享的混合型MMC及运行策略获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120262936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510737507.3，技术领域涉及：H02M7/483；该发明授权一种基于Si/SiC集约型冗余模块双端共享的混合型MMC及运行策略是由涂春鸣;刘志豪;任鹏;郭祺;肖凡;龙柳;王鑫设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于Si/SiC集约型冗余模块双端共享的混合型MMC及运行策略在说明书摘要公布了：本申请提供一种基于SiSiC集约型冗余模块双端共享的混合型MMC及运行策略，包括：三相电路拓扑、交流侧输出端口、第一直流侧储能电容，第二直流侧储能电容；所述三相电路拓扑，包括三个相同的单相拓扑，单相拓扑包括上桥臂、滤波电感、复用冗余子模块、下桥臂、滤波电感；复用冗余子模块包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管和第六开关管，以及直流电容。通过引入复用冗余子模块，对上、下桥臂分别进行冗余配置，减少了冗余子模块的配置数目的同时，也减少了散热器、电容器等器件的配置，能够有效优化MMC的配置成本。

本发明授权一种基于Si/SiC集约型冗余模块双端共享的混合型MMC及运行策略在权利要求书中公布了：1.一种基于SiSiC集约型冗余模块双端共享的混合型MMC，其特征在于，包括：三相电路拓扑、交流侧输出端口u oa、第一直流侧储能电容C 1，第二直流侧储能电容C 2； 所述三相电路拓扑，包括三个相同的单相拓扑，所述单相拓扑包括上桥臂ARMp、上桥臂滤波电感L arm1、复用冗余子模块MRSM、下桥臂ARMn、下桥臂滤波电感L arm2； 所述复用冗余子模块MRSM包括第一开关管S R1、第二开关管S R2、第三开关管S R3、第四开关管S R4、第五开关管S R5和第六开关管S R6，以及直流电容C R，所述复用冗余子模块MRSM还设置有三个对外的连接端口，分别为p、n、o端口，所述第一开关管S R1、所述第二开关管S R2、所述第三开关管S R3、所述第四开关管S R4均为SiIGBT管，所述第五开关管S R5、所述第六开关管S R6均为SiCMOSFET管； 所述第一开关管S R1的集电极、所述第三开关管S R3的集电极和所述第五开关管S R5的漏极均连接于所述直流电容C R的正极，所述第二开关管S R2的发射极、所述第四开关管S R4的发射极、所述第六开关管S R6的源极均连接于所述直流电容C R的负极，所述第一开关管S R1的发射极、所述第二开关管S R2的集电极均连接于所述端口p；所述第三开关管S R3的发射极、所述第四开关管S R4的集电极与所述端口n相连，所述第五开关管S R5的源极、所述第六开关管S R6的漏极均连接于所述端口o；所述p端口与所述上桥臂滤波电感L arm1的一端相连，所述n端口与所述下桥臂滤波电感L arm2的一端相连，所述o端口与所述交流侧输出端口u oa相连； 所述上桥臂ARMp和所述下桥臂ARMn均包含多个半桥子模块SMaN，所述多个半桥子模块以串联方式相连，所述上桥臂ARMp中的最后一个半桥子模块一端连接于上桥臂滤波电感L arm1的另一端，所述下桥臂ARMn中的第一个半桥子模块的一端连接于下桥臂滤波电感L arm2的另一端；所述上桥臂ARMp中的第一个半桥子模块的一端与所述第一直流侧储能电容C 1的正极相连；所述下桥臂ARMn中的最后一个半桥子模块的与所述第二直流侧储能电容C 2的负极相连，所述第一直流侧储能电容C 1的负极和所述第二直流侧储能电容C 2的正极均连接于接地端。

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