广立微(上海)技术有限公司牛艳宁获国家专利权
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龙图腾网获悉广立微(上海)技术有限公司申请的专利栅氧化层电性厚度监测结构、方法、装置和计算机设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120237127B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510726266.2，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权栅氧化层电性厚度监测结构、方法、装置和计算机设备是由牛艳宁;缪仁杰;叶海涛;陈鑫;孙自旺设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅氧化层电性厚度监测结构、方法、装置和计算机设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种栅氧化层电性厚度监测结构、方法、装置和计算机设备，结构包括：间隔布置的第一MOS结构和第二MOS结构，其中，第一MOS结构中，源漏区域上方形成第一极板，沟道区域上方形成第二极板，第二极板上的栅极与源漏区域具有第一重叠区域；第二MOS结构中，源漏区域上方形成第三极板，沟道区域上方形成第四极板，第四极板上的栅极与源漏区域具有第二重叠区域；沿沟道方向上，第一极板上任一点与第二极板之间的距离，与第三极板上对应点与第四极板之间的距离相同，第一重叠区域与第二重叠区域的面积相同，第二极板上的栅极区域与第四极板上的栅极区域相比，栅极宽度相同且栅极长度不同。通过本申请，可以计算得到精确的栅氧化层电性厚度。
本发明授权栅氧化层电性厚度监测结构、方法、装置和计算机设备在权利要求书中公布了：1.一种栅氧化层电性厚度监测结构，其特征在于，包括：间隔布置的第一MOS结构和第二MOS结构，其中， 所述第一MOS结构中，源漏区域上方形成第一极板，沟道区域上方形成第二极板，所述第二极板上的栅极与所述源漏区域具有第一重叠区域； 所述第二MOS结构中，源漏区域上方形成第三极板，沟道区域上方形成第四极板，所述第四极板上的栅极与所述源漏区域具有第二重叠区域； 沿沟道方向上，所述第一极板上任一点与所述第二极板之间的距离，与所述第三极板上对应点与所述第四极板之间的距离相同，所述第一重叠区域与所述第二重叠区域的面积相同，所述第二极板上的栅极区域与所述第四极板上的栅极区域相比，栅极宽度相同且栅极长度不同；所述第一MOS结构中栅极上方接触孔的数量大于所述第二MOS结构中栅极上方接触孔的数量。
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