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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510732516.3，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权太阳能电池和光伏组件是由王钊;张远方;郑霈霆;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-06-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种太阳能电池和光伏组件。太阳能电池包括基底、发射极结构、掺杂导电结构、第一电极和第二电极，发射极结构设于基底的第一表面上，且包括交替布设的第一高掺杂区和第一低掺杂区。掺杂导电结构设于基底的第二表面上，且包括交替布设的第二高掺杂区和第二低掺杂区。第一电极至少设于发射极结构的第一高掺杂区上。第二电极至少设于掺杂导电结构的第二高掺杂区上。第一高掺杂区的掺杂浓度指数大于第一低掺杂区的掺杂浓度指数，第二高掺杂区的掺杂浓度指数大于第二低掺杂区的掺杂浓度指数。如此，能够更好地提升太阳能电池的光电转化效率的同时，也可更好地提高太阳能电池的短路电流和开路电压。

本发明授权太阳能电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 基底；沿所述基底的厚度方向，所述基底具有相背设置的第一表面和第二表面；所述基底具有第一导电类型； 发射极结构，设于所述基底的第一表面上，且包括交替布设的第一高掺杂区和第一低掺杂区； 掺杂导电结构，设于所述基底的第二表面上，且包括交替布设的第二高掺杂区和第二低掺杂区；所述第二高掺杂区和第二低掺杂区具有第一导电类型； 第一电极，至少设于所述发射极结构的所述第一高掺杂区上，且与所述第一高掺杂区电连接；及 第二电极，至少设于所述掺杂导电结构的所述第二高掺杂区上，且与所述第二高掺杂区电连接； 其中，所述第一高掺杂区的掺杂浓度指数大于所述第一低掺杂区的掺杂浓度指数；所述第一高掺杂区的掺杂浓度指数为所述第一高掺杂区在预设深度范围内的掺杂浓度平均值与所述基底的掺杂浓度之间的比值，第一低掺杂区的掺杂浓度指数为所述第一低掺杂区在预设深度范围内的掺杂浓度平均值与所述基底的掺杂浓度之间的比值； 所述第二高掺杂区的掺杂浓度指数大于所述第二低掺杂区的掺杂浓度指数；所述第二高掺杂区的掺杂浓度指数为所述第二高掺杂区在预设深度范围内的掺杂浓度平均值与所述基底的掺杂浓度之间的比值，第二低掺杂区的掺杂浓度指数为所述第二低掺杂区在预设深度范围内的掺杂浓度平均值与所述基底的掺杂浓度之间的比值。

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