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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120197521B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510679491.5，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质是由邱茹蒙;马姣;许可;黄奕泉;陈健设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质，该方法包括：获取不同尺寸的半导体器件的电性参数历史量测数据；根据电性参数历史量测数据构建第一训练样本集，第一训练样本包括小尺寸器件的第一电性参数相关量测数据与尺寸数据以及大尺寸器件的尺寸数据与第一电性参数量测数据；根据第一训练样本集对第一神经网络模型进行训练，以得到对应的第一电性参数预测模型；将已量测小尺寸器件的第一电性参数相关量测数据与尺寸数据以及待预测大尺寸器件的尺寸数据输入至第一电性参数预测模型中，以获取待预测大尺寸器件的第一电性参数预测数据。本发明可以基于小尺寸器件的电性参数准确地预测出大尺寸器件的电性参数。

本发明授权半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件电性参数预测方法，其特征在于，包括： 获取不同尺寸的半导体器件的电性参数历史量测数据； 根据所述电性参数历史量测数据构建第一训练样本集，所述第一训练样本集中的每一例第一训练样本均包括小尺寸器件的第一电性参数相关量测数据与尺寸数据以及大尺寸器件的尺寸数据与第一电性参数量测数据，其中，所述大尺寸器件的第一电性参数量测数据为所述第一训练样本的标签，所述第一电性参数包括饱和区阈值电压、导通电流和关断电流；所述小尺寸器件的第一电性参数相关量测数据包括在漏极电压等于供电电压的条件下量测得到的所述小尺寸器件的栅极电压与对应的漏极电流序列数据； 根据所述第一训练样本集对第一神经网络模型进行训练，以得到对应的第一电性参数预测模型； 将已量测小尺寸器件的第一电性参数相关量测数据与尺寸数据以及待预测大尺寸器件的尺寸数据输入至所述第一电性参数预测模型中，以获取所述待预测大尺寸器件的第一电性参数预测数据； 所述方法还包括： 根据所述电性参数历史量测数据构建第二训练样本集，所述第二训练样本集中的每一例第二训练样本均包括小尺寸器件的第二电性参数相关量测数据与尺寸数据以及大尺寸器件的尺寸数据与第二电性参数量测数据，其中，所述大尺寸器件的第二电性参数量测数据为所述第二训练样本的标签，所述第二电性参数包括线性区阈值电压，所述小尺寸器件的第二电性参数相关量测数据包括在漏极电压低于所述供电电压的条件下量测得到的所述小尺寸器件的栅极电压与对应的漏极电流序列数据； 根据所述第二训练样本集对第二神经网络模型进行训练，以得到对应的第二电性参数预测模型； 将所述已量测小尺寸器件的第二电性参数相关量测数据与尺寸数据以及所述待预测大尺寸器件的尺寸数据输入至所述第二电性参数预测模型中，以获取所述待预测大尺寸器件的第二电性参数预测数据。

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