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龙图腾网获悉华芯程(杭州)科技有限公司申请的专利一种掩膜工艺和光学邻近联合校正方法、装置及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120147201B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510631829.X，技术领域涉及：G06T5/80；该发明授权一种掩膜工艺和光学邻近联合校正方法、装置及设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种掩膜工艺和光学邻近联合校正方法、装置及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工领域，特别是涉及一种掩膜工艺和光学邻近联合校正方法、装置及设备，通过接收目标图案；将所述目标图案输入预训练的联合校正模型，使所述联合校正模型将所述目标图案作为初始的当前掩膜图案，并对所述当前掩膜图案中的光学邻近校正目标图形的边缘进行切分，得到多个边缘段，再根据预设的掩膜图像密度函数、所述掩膜图像密度函数对应的第一线性系数、预设的光刻胶图像项及所述光刻胶图像项对应的第二线性系数对所述边缘段的位置进行迭代调整，直至所述当前掩膜图案的全部的边缘段的边缘放置误差小于预设的合格阈值；输出边缘段的边缘放置误差小于预设的合格阈值的当前掩膜图案作为校正掩膜图案。本发明缩减了工艺周期和成本。

本发明授权一种掩膜工艺和光学邻近联合校正方法、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种掩膜工艺和光学邻近联合校正方法，其特征在于，包括： 接收目标图案，所述目标图案包括光学邻近校正目标图形及亚分辨率辅助图形； 将所述目标图案输入预训练的联合校正模型，使所述联合校正模型将所述目标图案作为初始的当前掩膜图案，并对所述当前掩膜图案中的光学邻近校正目标图形的边缘进行切分，得到多个边缘段，再根据预设的掩膜图像密度函数、所述掩膜图像密度函数对应的第一线性系数、预设的光刻胶图像项及所述光刻胶图像项对应的第二线性系数对所述边缘段的位置进行迭代调整，直至所述当前掩膜图案的全部的边缘段的边缘放置误差小于预设的合格阈值；其中，所述联合校正模型能通过所述掩膜图像密度函数及所述第一线性系数，从所述当前掩膜图案得到对应的生产模拟图案；并能根据所述生产模拟图案确定对应的光学强度分布；且能通过所述光刻胶图像项及所述第二线性系数，从所述光学强度分布得到对应的光刻胶图像； 输出全部的边缘段的边缘放置误差小于预设的合格阈值的当前掩膜图案作为校正掩膜图案。

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