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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510517771.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触电池及其制备方法是由潘挽婷;廖晖;徐孟雷;郑霈霆;杨洁;张昕宇设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及光伏领域，提供一种背接触电池及其制备方法，背接触电池的制备方法包括：提供基底，基底包括相对的第一面和第二面；第二面上设置有交替排布的第一区和第二区，以及位于第一区和第二区之间的间隔区，第一区上设置有第一发射极，第二区上设置有第二发射极，第一发射极内的掺杂元素与第二发射极内的掺杂元素具有不同的导电类型，第一发射极的厚度小于第二发射极的厚度；采用第一网版在第二面的第一区上印刷第一栅线，第一栅线与第一发射极电接触；采用第二网版在第二面的第二区上印刷第二栅线，第二栅线与第二发射极电接触。本公开至少可以提升制备背接触电池的可靠性。

本发明授权背接触电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相对的第一面和第二面；所述第二面上设置有交替排布的第一区和第二区，以及位于所述第一区和所述第二区之间的间隔区，所述第一区上设置有第一发射极，所述第二区上设置有第二发射极，所述第一发射极内的掺杂元素与所述第二发射极内的掺杂元素具有不同的导电类型，所述第一发射极的厚度小于所述第二发射极的厚度； 先采用第一网版在所述第二面的所述第一区上印刷第一栅线，所述第一栅线与所述第一发射极电接触； 再采用第二网版在所述第二面的所述第二区上印刷第二栅线，所述第二栅线与所述第二发射极电接触，所述第一栅线的厚度小于所述第二栅线的厚度； 其中，在印刷所述第一栅线前，所述背接触电池的制备方法还包括： 形成第一钝化层，所述第一钝化层位于所述第一发射极以及所述第二发射极背离所述基底的表面上，还位于所述第二面的所述间隔区上；所述第一栅线背离所述基底的表面相对所述第二面的高度为第一高度，所述第二区上的所述第一钝化层背离所述基底的表面相对所述第二面的高度为第二高度，所述第一区上的所述第一钝化层背离所述基底的表面相对所述第二面的高度小于所述第二高度，且所述第一高度与所述第二高度的差值小于或等于4μm。

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