深圳市汉嵙新材料技术有限公司蔡比亚获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市汉嵙新材料技术有限公司申请的专利电池正极及其制备方法、锂离子电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119864366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510347787.7,技术领域涉及:H01M4/131;该发明授权电池正极及其制备方法、锂离子电池是由蔡比亚;王荣福;易典;朱海峰;袁昌理设计研发完成,并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本电池正极及其制备方法、锂离子电池在说明书摘要公布了:本发明涉及一种电池正极及其制备方法、锂离子电池。上述电池正极包括集流体、衬底材料层及外延生长材料层,衬底材料层设置在集流体上,外延生长材料层设置在衬底材料层远离集流体的一侧,衬底材料层包括具有橄榄石结构的正极材料,外延生长材料层包括层状结构的钴酸锂。橄榄石结构的正极材料能够在高电压下能够保持结构稳定,且与钴酸锂正极材料之间较小的晶格常数差异,能够将层状结构的钴酸锂以外延生长的方式沉积在衬底材料层的表面,而层状结构的钴酸锂在高电压下具有优异的克比容量发挥。橄榄石结构的正极材料通过晶格匹配效应抑制了钴酸锂的晶格变化,改善钴酸锂的高压稳定性。上述电池正极具有较高的容量发挥,并能够提高电池循环性能。
本发明授权电池正极及其制备方法、锂离子电池在权利要求书中公布了:1.一种电池正极,其特征在于,包括集流体、衬底材料层以及外延生长材料层,所述衬底材料层设置在所述集流体上,所述外延生长材料层设置在所述衬底材料层远离所述集流体的一侧,所述衬底材料层的材料包括具有橄榄石结构的正极材料,所述外延生长材料层的材料包括层状结构的LiCoO2;所述具有橄榄石结构的正极材料的面内晶格常数为9.5~14.5Å,所述层状结构的LiCoO2的面内晶格常数为11.1~14.2Å,所述具有橄榄石结构的正极材料与所述层状结构的LiCoO2的晶格失配度在8%以下; 所述电池正极还包括表面保护层,所述表面保护层设置在所述外延生长材料层远离所述衬底材料层的一侧,所述表面保护层的材料包括LiLaCl4、Li0.7Zr0.3La0.7Cl4、Li5CrZrCl12、Li2ZrCl6、Li2.5ZrCl5F0.5O0.5、Li2.375Sc0.375Zr0.625Cl6、Li3YCl6、Li3YBr6、Li3YBr5.7F0.3、Li2.7 5Y0.16Er0.16Yb0.16In0.25Zr0.25Cl6、Li2.6In0.8Ta0.2Cl6、Li3InCl6、Li3.25InCl5.75O0.25以及LiTaCl6中的至少一种; 所述衬底材料层的厚度为2µm~8µm,所述外延生长材料层的厚度为1µm~4µm,所述表面保护层的厚度为5nm~20nm。
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