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龙图腾网获悉华中光电技术研究所(中国船舶集团有限公司第七一七研究所)申请的专利一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119596452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411970828.X，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片是由龙瀚凌;贾宇;潘科;吴文昊;董亭亭设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片在说明书摘要公布了：本申请公开了一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片，涉及集成硅光子学技术领域，该芯片包括AWG和波长热调谐结构，AWG由输入波导、第一平板波导、阵列波导、第二平板波导和输出波导按照光路方向顺次连接组成，AWG用于实现波长分复用和解复用，波长热调谐结构包括热调电极和金属电极，热调电极位于阵列波导上方，其通过金属电极与外部控制电路连接，用于根据外部电压为阵列波导加热，实现AWG信道波长调谐，电压幅度增大，热调电极产生的热量增多，AWG信道波长向长波长方向漂移；本申请技术方案能够在紧凑的芯片上实现多波长密集波分复用，具有体积小可靠性高的优势，能够通过波长热调谐结构实现通带波长控制，满足多波长光网络应用需求。

本发明授权一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片在权利要求书中公布了：1.一种面向密集波分复用的绝缘体上硅阵列波导光栅芯片，其特征在于，该硅阵列波导光栅芯片包括AWG结构和波长热调谐结构，所述波长热调谐结构位于所述AWG结构上方； 所述AWG结构由输入波导1、第一平板波导3、阵列波导4、第二平板波导8和输出波导9按照光路方向顺次连接组成，所述AWG结构用于实现光信号的波长分复用和解复用； 所述第一平板波导3一侧通过绝热过渡结构2与输入波导1连接，另一侧通过绝热过渡结构2与阵列波导4连接；所述第二平板波导8一侧通过绝热过渡结构2与输出波导9连接，另一侧通过绝热过渡结构2与阵列波导4连接；所述绝热过渡结构2用于通过逐渐改变波导横截面尺寸的方式，实现其所连接的两侧波导的模场过渡； 波长热调谐结构包括热调电极5，所述热调电极5设置在所述阵列波导4正上方，所述热调电极5与外部控制电路连接，用于根据外部控制电路输入的电压产生焦耳热，并通过为阵列波导4加热的方式实现AWG信道波长的调谐，其中，电压幅度的平方与AWG信道波长向长波长方向的漂移量正相关。

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