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龙图腾网获悉河北美泰电子科技有限公司申请的专利MEMS体硅结构的制备方法及MEMS传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119349504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411919039.3，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权MEMS体硅结构的制备方法及MEMS传感器是由何洪涛;杨拥军;姚世婷;罗蓉;陈鹏旭设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS体硅结构的制备方法及MEMS传感器在说明书摘要公布了：本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种MEMS体硅结构的制备方法MEMS传感器，MEMS体硅结构包括第一硅基底和第二硅基底，该方法包括：在第一硅基底的正面刻蚀并填充第一盲孔；第一盲孔具有第一预设深度；在第一硅基底的背面正对第一盲孔的位置刻蚀第二盲孔；第二盲孔具有第二预设深度；第二盲孔的孔径大于第一盲孔的孔径；第一预设深度与第二预设深度之和为第一硅基底的厚度；填充第二盲孔，形成高脚杯结构的填充后的硅通孔结构；将第一硅基底的正面和第二硅基底进行键合，形成MEMS体硅结构。本申请能够避免硅基底的底部产生“底切”或footing效应，提高硅通孔金属籽晶层的覆盖质量，从而提高硅通孔电性能的可靠性。

本发明授权MEMS体硅结构的制备方法及MEMS传感器在权利要求书中公布了：1.一种MEMS体硅结构的制备方法，其特征在于，MEMS体硅结构包括第一硅基底和第二硅基底，其中，所述第一硅基底和所述第二硅基底之间设置有氧化层，所述第一硅基底的正面为与氧化层相邻的表面，第一硅基底的背面为远离氧化层的表面；该方法包括： 在第一硅基底的正面刻蚀第一盲孔；所述第一盲孔具有第一预设深度； 填充所述第一盲孔； 在所述第一硅基底的背面正对所述第一盲孔的位置刻蚀第二盲孔；所述第二盲孔具有第二预设深度；所述第二盲孔的孔径大于所述第一盲孔的孔径；所述第一预设深度与所述第二预设深度之和为所述第一硅基底的厚度； 填充所述第二盲孔，形成高脚杯结构的填充后的硅通孔结构； 将具有填充后的硅通孔结构的第一硅基底的正面和第二硅基底的一面进行键合，形成MEMS体硅结构；其中，硅通孔结构用于第一硅基底内部电路与外部导通； 所述将具有填充后的硅通孔结构的第一硅基底的正面和第二硅基底的一面进行键合包括：在具有填充后的硅通孔结构的第一硅基底的正面制备氧化层；将所述氧化层和所述第二硅基底的一面进行键合； 或者，在所述第二硅基底的一面制备氧化层；将具有填充后的硅通孔结构的第一硅基底的正面与所述氧化层进行键合。

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