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龙图腾网获悉武汉芯必达微电子有限公司申请的专利高压LDO折返式过流保护前馈电路及基于其的过流保护方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119597101B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411829549.1，技术领域涉及：G05F1/573；该发明授权高压LDO折返式过流保护前馈电路及基于其的过流保护方法是由陈亮添设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本高压LDO折返式过流保护前馈电路及基于其的过流保护方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高压LDO折返式过流保护前馈电路及基于其的过流保护方法，高压LDO折返式过流保护前馈电路包括：LDO环路和过流保护环路；所述LDO环路，用于根据第一运算放大器的输入参考电压，产生输出电压并提供检测电流和反馈电压；所述过流保护环路，用于引入检测电流，使第二运算放大器的正端电压升高，在检测到正端电压高于反馈电压时，触发过流保护打开开关电流镜，所述开关电流镜控制第一运算放大器输出端电压，使第一运算放大器的输出端电流精确复制到LDO环路的输出端。

本发明授权高压LDO折返式过流保护前馈电路及基于其的过流保护方法在权利要求书中公布了：1.一种高压LDO折返式过流保护前馈电路，其特征在于， 包括： LDO环路和过流保护环路； 所述LDO环路，用于根据第一运算放大器的输入参考电压，产生输出电压并提供检测电流和反馈电压；所述第一运算放大器的输出连接到NMOS管栅端，所述NMOS管栅端与源端相连，所述NMOS管漏端分别连接第一PMOS管漏端和栅端、镜像功率管栅端以及输出功率管栅端；所述输出功率管漏端串联反馈电阻连接至第一运算放大器的负端，构成LDO环路； 第二运算放大器的负端接反馈电压，输出端连接开关电流镜输入端，所述开关电流镜输出连接至NMOS管栅端，所述镜像功率管栅端与输出功率管栅端相连构成电流镜；所述镜像功率管漏端和输出电压连接到钳位模块输入，所述钳位模块输出连接至前馈与环路补偿单元及第二运算放大器的正端，所述前馈与环路补偿单元跨接第二运算放大器的输入与输出，构成过流保护环路； 所述过流保护环路，用于引入检测电流，使第二运算放大器的正端电压升高，在检测到正端电压高于反馈电压时，触发过流保护打开开关电流镜，所述开关电流镜控制第一运算放大器输出端电压，使第一运算放大器的输出端电流精确复制到LDO环路的输出端。

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