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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种CMOS传感器的光子散粒噪声标定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119697515B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411830492.7，技术领域涉及：H04N25/67；该发明授权一种CMOS传感器的光子散粒噪声标定方法是由李军伟;李毅;吴其龙;夏江南;程江涵设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS传感器的光子散粒噪声标定方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS传感器的光子散粒噪声标定方法。该方法利用平场帧的光照均匀性，将真实信号通过平均值来近似；得到系统增益后获取低照度图像，将低照度图像减去黑电平后再除以系统增益后转换成光子数量，对光子数量施加泊松分布再乘以系统增益将光子数量还原成带光子散粒噪声的图像，从而模拟光子散粒噪声的生成。本发明在平场帧的获取时设计了由标准化24色卡和相机构成的实验装置。本发明通过像素块的设计，在每个ISO下提取各图像中各像素块所有通道信号值，计算真实信号值和数字信号方差，并对各通道进行线性拟合得到当前ISO下各通道系统增益，各通道系统增益求和取平均作为当前ISO下的系统增益。本发明标定方法操作简单、成本低、准确高效。

本发明授权一种CMOS传感器的光子散粒噪声标定方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS传感器的光子散粒噪声标定方法，其特征在于，包括： 光子通过镜头入射到像点并经过光电反应转换成电子，电子再通过电容转换成电压，再通过系统增益放大和AD转换后生成数字信号输出，所述数字信号输出由如下公式表示： D＝KI+Nc 其中D是CMOS图像传感器输出的Raw格式图片，I是图像传感器在单次成像过程中捕获的光子数量，K是系统增益，Nc是由图像传感器物理模型引起的噪声源的总和； 根据量子力学原理，光子散粒噪声Np服从泊松分布P·，表示为： Np+I～PI 根据数字信号输出的表达式和光子散粒噪声符合泊松分布的特性，将CMOS图像传感器输出的数字信号图像表示为： D＝KI+Np+N 其中N表示其他与光照信号无关的噪声源的总和，N+Np＝Nc；将噪声方差表示为： VarD＝K2·VarI+Np+VarN 其中Var·表示方差运算符；由于I+Np服从泊松分布，其方差等于其均值，因此有： VarD＝K2I+VarN＝KKI+VarN 上式表明数字信号方差VarD与真实信号KI之间符合线性关系；利用平场帧的光照均匀性，将真实信号KI通过平均值来近似； 计算得到系统增益K后，相机在低光照条件下拍摄图像获取低照度图像，将低照度图像减去黑电平后再除以系统增益K后转换成光子数量I，对光子数量I施加泊松分布，再乘以系统增益K将光子数量I还原成带光子散粒噪声的图像，从而模拟光子散粒噪声的生成，实现光子散粒噪声的标定。

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