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龙图腾网获悉深圳市豪鹏科技股份有限公司申请的专利一种改性隔膜、制备方法及锂金属电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119253196B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411786448.0，技术领域涉及：H01M50/449；该发明授权一种改性隔膜、制备方法及锂金属电池是由冯明阳;张树艳;李辉;王琼;于立娟;胡大林;廖兴群设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改性隔膜、制备方法及锂金属电池在说明书摘要公布了：为克服现有技术中锂金属负极存在的枝晶不可控生长和严重的界面副反应的问题，本发明提供了一种改性隔膜、制备方法及锂金属电池；改性隔膜包括基膜和改性涂层，所述改性涂层涂覆于所述基膜表面，包括基膜和改性涂层，所述改性涂层涂覆于所述基膜表面，所述改性涂层包括羧基化前驱体和碳纳米管形成的复合材料，所述羧基化前驱体为羧基改性物改性的前驱体，所述前驱体包括GeS或SnSx中的一种，其中，x=1‑2。本发明提供的改性隔膜，通过涂覆羧基化前驱体与碳纳米管球制备的改性涂层，可以有效解决锂金属电池的锂金属负极存在的枝晶不可控生长以及产生的界面副反应的问题。

本发明授权一种改性隔膜、制备方法及锂金属电池在权利要求书中公布了：1.一种锂金属电池的改性隔膜，其特征在于，包括基膜（2）和改性涂层（1），所述改性涂层（1）涂覆于所述基膜（2）表面，所述改性涂层（1）包括羧基化前驱体和碳纳米管形成的复合材料，所述羧基化前驱体为羧基改性物改性的前驱体，所述前驱体包括GeS或SnSx中的一种，其中，x=1-2； 所述羧基化前驱体和所述碳纳米管复合材料中，所述前驱体、所述羧基改性物以及所述碳纳米管的质量比为1：1-20：0.05-1； 所述改性涂层（1）的厚度为0.5-5μm； 所述的锂金属电池的改性隔膜的制备方法，包括以下操作： S1：制备前驱体； S2：将前驱体与羧基改性物混合进行羧基化处理，得到羧基化前驱体； S3：将羧基化前驱体与碳纳米管球磨复合，得到羧基化前驱体和碳纳米管复合材料； S4：将羧基化前驱体和碳纳米管复合材料，制成改性涂层的浆料； S5：将改性涂层的浆料涂覆在基膜表面，干燥后得到改性隔膜； 所述羧基改性物包括羧基化硅烷偶联剂，所述羧基化硅烷偶联剂包括3-三甲氧基硅基丙酸、3-三乙氧基硅基丙酸和N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷的羧基化衍生物中的一种或多种。

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