北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种存内计算阵列及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119761439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411772431.X，技术领域涉及：G06N3/065；该发明授权一种存内计算阵列及其操作方法是由王宗巍;罗天阳;蔡一茂;杨韵帆;黄如设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存内计算阵列及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种存内计算阵列及其操作方法，属于半导体和CMOS混合集成电路技术领域。本发明设计了一种基于亚阈值电流的2T1R存内计算阵列，该阵列中每个单元由一个忆阻器、一个选通管T1和一个读出管T2组成，写入和擦除操作与1T1R阵列架构类似，但通过工作在亚阈值区的晶体管T2读出，该读出管产生的读取电流较小，有利于存内计算并行度的增加，可实现100～1000量级的超高并行计算。同时读出管T2的读出电流与栅压呈指数相关，可以得到更大的开关电流比，放大了存内计算单元的读出窗口。相较于1T1R阵列架构，本发明能够实现更复杂的存内计算操作，能够灵活选择操作策略，从而实现更高效的乘累加运算。
本发明授权一种存内计算阵列及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存内计算阵列，其特征在于，包括一2T1R阵列，该阵列中每个2T1R单元由一个忆阻器、一个选通管T1和一个读出管T2组成，忆阻器用于存储权重信息，T1用于控制电流的通路，T2工作在亚阈值区，用于读出忆阻器的状态，T2的读出电流与栅压呈指数关系，其中忆阻器的阳极与T1的漏极和T2的栅极相连，忆阻器的阴极与写源线WSL相连；T1的栅极受字线WL电压控制，T1的源极与写位线WBL相连，T1的漏极与忆阻器的阳极和T2的栅极相连；T2的栅极与忆阻器阳极相连，T2的源极和漏极分别与读位线RBL和写位线RSL相连，2T1R阵列的外围连接多功能数字写入单元和多模式模拟IO单元，用于控制2T1R阵列的写入和读取操作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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