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龙图腾网获悉西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种GaN HEMT器件分布式等效电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119918474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411746902.X，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权一种GaN HEMT器件分布式等效电路是由刘志宏;胡友;赵云旭;周瑾;杜航海;邢伟川;冯欣;张进成;郝跃设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT器件分布式等效电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaNHEMT器件分布式等效电路，该电路电路具有栅极端、漏极端与源极端，所述栅极端与所述源极端之间设置有分布式栅源电容与分布式第一本征电阻，所述栅极端与所述漏极端之间设置有分布式栅漏电容与分布式第二本征电阻，所述漏极端与所述源极端设置有电流源、第一电容与第一电阻，所述栅极端设置有分布式栅极电感与分布式栅极电阻，所述漏极端设置有第二电阻与第一电感，所述源极端设置有第三电阻与第二电感。本发明实施例能够表征在高频工作条件下，GaNHEMT器件内部的分布式效应，使得模型的参数更加准确。本发明作为一种GaNHEMT器件分布式等效电路，可广泛应用于半导体器件建模技术领域。

本发明授权一种GaN HEMT器件分布式等效电路在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件分布式等效电路，其特征在于，所述电路具有栅极端、漏极端与源极端，所述栅极端与所述源极端之间设置有分布式栅源电容与分布式第一本征电阻，所述栅极端与所述漏极端之间设置有分布式栅漏电容与分布式第二本征电阻，所述漏极端与所述源极端设置有电流源、第一电容与第一电阻，所述栅极端设置有分布式栅极电感与分布式栅极电阻，所述漏极端设置有第二电阻与第一电感，所述源极端设置有第三电阻与第二电感，其中： 所述分布式栅源电容包括若干栅源电容，若干所述栅源电容并行连接； 所述分布式第一本征电阻包括若干第一本征电阻，若干所述第一本征电阻并行连接； 所述分布式栅漏电容包括若干栅漏电容，若干所述栅漏电容并行连接； 所述分布式第二本征电阻包括若干第二本征电阻，若干所述第二本征电阻并行连接； 所述分布式栅极电感包括若干栅极电感，所述分布式栅极电阻包括若干栅极电阻，若干所述栅极电阻与若干所述栅极电感串行连接； 其中，所述电路的栅极端与所述分布式栅极电感的第一端连接，所述分布式栅极电感的第二端与所述分布式栅极电阻的第一端连接，所述分布式栅极电阻的第二端、所述分布式栅漏电容的第一端与所述分布式栅源电容的第一端连接，所述分布式栅源电容的第二端与所述分布式第一本征电阻的第一端连接，所述分布式栅漏电容的第二端与所述分布式第二本征电阻的第一端连接，所述分布式第一本征电阻的第二端、所述电流源的第二端、所述第一电容的第二端、所述第一电阻的第二端与所述第三电阻的第一端连接，所述分布式第二本征电阻的第二端、所述电流源的第一端、所述第一电容的第一端、所述第一电阻的第一端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述电路的漏极端连接，所述第三电阻的第二端与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端与所述电路的源极端连接。

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