自贡东新电碳股份有限公司沈志麟获国家专利权
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龙图腾网获悉自贡东新电碳股份有限公司申请的专利一种半导体石墨材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119430939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411733527.5，技术领域涉及：C04B35/52；该发明授权一种半导体石墨材料及其制备方法是由沈志麟;沈欣;夏尚能;黄虹;张成志设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体石墨材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体石墨材料技术领域，具体涉及一种半导体石墨材料及其制备方法。所述半导体石墨材料，按质量百分比计，原料包括沥青焦粉23‑33％、生石油焦粉23‑33％、人造石墨粉5‑15％、天然石墨粉3‑8％、余量为改质沥青。本发明所述的半导体石墨材料具有较高的抗折强度、抗压强度、硬度和密度；具有较低的电阻率、气孔率和灰分，且制备工艺更加简单，降低了生产成本。
本发明授权一种半导体石墨材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体石墨材料，其特征在于，按质量百分比计，原料包括沥青焦粉23-33%、生石油焦粉23-33%、人造石墨粉5-15%、天然石墨粉3-8%、余量为改质沥青； 所述的半导体石墨材料的制备方法，包括以下步骤： S1、将沥青焦粉、生石油焦粉、人造石墨粉和天然石墨粉进行第一次混合，然后加入改质沥青进行第二次混合，得混合料； S2、将混合料依次进行轧片、磨粉和压制成型，得坯料； S3、将坯料按照预定升温曲线进行焙烧，得焙烧料； S4、将焙烧料进行石墨化处理即得半导体石墨材料； 其中，步骤S3中所述预定升温曲线为： 阶段1：以自由升温速率5h由室温升温至350℃； 阶段2.1：以3.3℃h升温速率升温至450℃； 阶段2.2：以2.5℃h升温速率升温至500℃； 阶段3.1：以1.25℃h升温速率升温至750℃； 阶段3.2：以1.6℃h升温速率升温至800℃； 阶段3.3：以2.5℃h升温速率升温至900℃； 阶段4：以4℃h升温速率升温至980℃； 阶段5：以8℃h升温速率升温至1180℃； 阶段6：在1200℃保温70h。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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