隆基绿能科技股份有限公司童洪波获国家专利权
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龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种背接触电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411745994.X，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权一种背接触电池和光伏组件是由童洪波;刘畅;邓圣杰;张博越;於龙设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以提高背接触电池的制造效率，增加背接触电池的制造产能，降低电池的漏电风险。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂硅层和第二掺杂硅层。半导体基底包括相对的第一面和第二面。第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的间隔区域。第一区域在第一面中的面积占比大于等于50％、且小于等于60％。第一掺杂硅层设置在第一区域上。第一掺杂硅层的材料包括多晶硅和或单晶硅。第二掺杂硅层设置在第二区域上。第二掺杂硅层的导电类型与第一掺杂硅层的导电类型相反。第一掺杂硅层对应的消光系数大于第二掺杂硅层对应的消光系数。
本发明授权一种背接触电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 半导体基底，所述半导体基底包括相对的第一面和第二面；所述第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的间隔区域；所述第一区域在所述第一面中的面积占比大于等于50％、且小于等于60％；所述第一区域和所述间隔区域的宽度总和为W1，所述第二区域和所述间隔区域的宽度总和为W2，W1和W2之间的比值大于1且小于2； 第一掺杂硅层，设置在所述第一区域上；所述第一掺杂硅层的材料包括多晶硅和或单晶硅；所述第一掺杂硅层的导电类型为P型； 第二掺杂硅层，设置在所述第二区域上；第二掺杂硅层的导电类型与所述第一掺杂硅层的导电类型相反；所述第一掺杂硅层对应的消光系数大于所述第二掺杂硅层对应的消光系数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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