北京雷音电子技术开发有限公司;北京理工大学徐绍剑获国家专利权
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龙图腾网获悉北京雷音电子技术开发有限公司;北京理工大学申请的专利一种双极化米波阵列天线单元及天线阵列获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119447825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411637201.2,技术领域涉及:H01Q9/04;该发明授权一种双极化米波阵列天线单元及天线阵列是由徐绍剑;刘园园;刘埇;卢宏达设计研发完成,并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双极化米波阵列天线单元及天线阵列在说明书摘要公布了:本发明提出一种双极化米波阵列天线单元,所述天线单元包括金属外框和两个尺寸相等的子天线单元,所述金属外框和两个子天线单元均为正方形,所述金属外框的内边长是所述子天线单元的边长的两倍,两个子天线单元分别位于金属外框内的左上部和右下部;其中,每个子天线单元包括正方形金属墙,正方形上层微带贴片和正方形下层微带贴片;所述金属墙高度与所述上层微带贴片平齐,所述下层微带贴片平行设置在所述上层微带贴片下部正投影位置,且在所述金属墙围城区域居中设置,所述上层微带贴片和所述下层微带贴片的边与所述金属墙的边呈45°夹角。所述下层微带贴片采用高介电常数介质加载,进而实现了天线的小型化。所述天线单元与搭载平台一体化共形设计,并增加波束扫描覆盖范围,双极化提高测量数据率。
本发明授权一种双极化米波阵列天线单元及天线阵列在权利要求书中公布了:1.一种双极化米波阵列天线单元,所述天线单元包括金属外框(101)和两个尺寸相等的子天线单元(102),所述金属外框(101)和两个子天线单元(102)均为正方形,所述金属外框(101)的内边长是所述子天线单元(102)的边长的两倍,两个子天线单元(102)分别位于金属外框(101)内的左上部和右下部;其中, 每个子天线单元(102)包括正方形金属墙(111),正方形上层微带贴片(112)和正方形下层微带贴片(113); 所述金属墙(111)高度与所述上层微带贴片(112)平齐,所述下层微带贴片(113)采用高介电常数加载,实现小型化,并平行设置在所述上层微带贴片(112)下部正投影位置,且在所述金属墙(111)围城区域居中设置,所述上层微带贴片(112)和所述下层微带贴片(113)的边与所述金属墙(111)的边呈45°夹角; 每个子天线单元(102)设置有两个端口,通过控制所述端口输入信号的相位,来控制所述子天线单元(102)的极化方式。
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