买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京中科新微特科技开发股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230412B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411579041.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制备方法是由李寿全;刘志国;张彦飞;赵哿;温霄霞;刘梦新设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括元胞区、栅总线及过渡区，过渡区位于元胞区与栅总线之间，过渡区包括衬底、外延层、主结层、栅氧化层、栅介质层，外延层设置于衬底一侧，主结层设置于外延层背离衬底的一侧，主结层包括调节区，调节区位于主结层背离衬底的一侧，调节区与主结层的导电类型相反；栅氧化层设置于主结层背离衬底的一侧，包括靠近元胞区的第一栅氧结构与靠近栅总线的第二栅氧结构，第一栅氧结构的厚度大于第二栅氧结构的厚度；栅介质层设置于栅氧化层背离衬底的一侧。其中，第二栅氧结构与调节区接触，第二栅氧结构在衬底上的正投影落入调节区在衬底上的正投影范围内。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括元胞区、栅总线及过渡区，所述过渡区位于所述元胞区与所述栅总线之间，所述过渡区包括： 衬底； 外延层，设置于所述衬底一侧； 主结层，设置于所述外延层背离所述衬底的一侧，所述主结层包括调节区，所述调节区位于所述主结层背离所述衬底的一侧，所述调节区与所述主结层的导电类型相反； 栅氧化层，设置于所述主结层背离所述衬底的一侧，包括靠近所述元胞区的第一栅氧结构与靠近所述栅总线的第二栅氧结构、位于第一栅氧结构与第二栅氧结构之间的第三栅氧结构，所述第一栅氧结构的厚度大于所述第二栅氧结构的厚度，沿所述元胞区向所述栅总线的方向，所述第三栅氧结构的厚度逐渐减小； 栅介质层，设置于所述栅氧化层背离所述衬底的一侧； 其中，所述第二栅氧结构与所述调节区接触，所述第二栅氧结构在所述衬底上的正投影落入所述调节区在所述衬底上的正投影范围内，所述第三栅氧结构在所述衬底上的正投影至少部分地落入所述调节区在所述衬底上的正投影范围内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京中科新微特科技开发股份有限公司，其通讯地址为：100012 北京市朝阳区北苑路58号航空科技大厦17层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。