泰科天润半导体科技(北京)有限公司施广彦获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种准超结沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297942U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422682377.1，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种准超结沟槽栅碳化硅VDMOS是由施广彦;张长沙;张瑜洁;李昀佶设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种准超结沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种准超结沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层连接至碳化硅衬底，漂移层下部均匀间隔设有多个N型区；漂移层上部均匀间隔设有多个P型掩蔽区，每个N型区连接至碳化硅衬底，漂移层上设有凹槽；P型阱区连接至漂移层以及P型掩蔽区，P型阱区内设有N型源区以及P型源区，P型源区连接至N型源区；栅介质层下部设于凹槽内，栅介质层分别连接漂移层以及P型掩蔽区；栅介质层外侧面分别连接P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；栅介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接P型阱区、P型源区以及N型源区；漏极金属层连接至碳化硅衬底，提高器件的耐压能力，降低器件的导通电阻。
本实用新型一种准超结沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种准超结沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底， 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层下部均匀间隔设有多个N型区；所述漂移层上部均匀间隔设有多个P型掩蔽区，每个所述N型区下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有凹槽； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面以及P型掩蔽区上侧面，所述P型阱区内设有N型源区以及P型源区，所述P型源区连接至所述N型源区； 栅介质层，所述栅介质层下部设于所述凹槽内，所述栅介质层下侧面分别连接所述漂移层上侧面以及P型掩蔽区上侧面；所述栅介质层外侧面分别连接所述P型阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述栅介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型阱区、P型源区以及N型源区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至碳化硅衬底下侧面。
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