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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利提升保护性能的SiC器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297943U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422653396.1，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型提升保护性能的SiC器件是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本提升保护性能的SiC器件在说明书摘要公布了：提升保护性能的SiC器件，涉及半导体技术领域。在器件中采用第一、二沟槽设计，通过注入在第二沟槽底面形成结深较深，宽度相比于第一沟槽更窄的P‑shield区，此设计目的是更窄的P‑shield区与SiCDrift层相互产生的耗尽层不会过多扩展从而影响器件的导通性能，而更深结深的P‑shield区又可以保证产生的耗尽层可以包裹沟槽底部拐角，实现对沟槽栅氧化层的保护。同时，本实用还在P‑shield区顶面制备欧姆接触连接源电极，实现了P‑shield区接地处理，进一步提高其保护能力。

本实用新型提升保护性能的SiC器件在权利要求书中公布了：1.提升保护性能的SiC器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）、P-body区（3）、NP区（4）、欧姆接触合金层（11）和正面电极金属层（12）； 所述SiCDrift层（2）内设有一对从NP区（4）顶面向下延伸的第一沟槽（5）；所述第一沟槽（5）的底面设有向下延伸的第二沟槽（6）； 所述第二沟槽（6）的底部设有向下延伸的P-shield区（7）； 所述第一沟槽（5）内设有沿第一沟槽（5）侧壁向下延伸经第二沟槽（6）侧壁并与P-shield区（7）连接的栅氧化层（8）； 所述第一沟槽（5）内栅氧化层（8）侧壁设有Poly层（9）； 所述NP区（4）的顶面设有水平延伸的隔离介质层（10），所述隔离介质层（10）经过栅氧化层（8）和Poly层（9）后，在所述第一沟槽（5）内向下延伸，与所述P-shield区（7）连接； 所述欧姆接触合金层（11）位于隔离介质层（10）的侧部，分别形成于所述NP区（4）的顶面和P-shield区（7）的顶面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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