扬州扬杰电子科技股份有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利提高P-shield区保护能力的SiC场效应晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297944U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422653398.0，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型提高P-shield区保护能力的SiC场效应晶体管是由王正;杨程;裘俊庆;万胜堂;王坤;王毅设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高P-shield区保护能力的SiC场效应晶体管在说明书摘要公布了：提高P‑shield区保护能力的SiC场效应晶体管，涉及半导体技术领域。通过形成深埋结的P‑shield区，将P‑shield区设置在比沟槽区更深的底部，从而在器件使用过程中，利用深埋结的P‑shield区与SiCDrift层和Epi层形成的耗尽层扩展至沟槽底部拐角，实现对沟槽底部拐角栅氧化层的保护，提高器件的长期稳定使用可靠性。同时，还通过在P‑shield区上方刻蚀沟槽开孔并制备欧姆接触，实现对P‑shield区接地处理，更进一步提高P‑shield区的保护能力。
本实用新型提高P-shield区保护能力的SiC场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.提高P-shield区保护能力的SiC场效应晶体管，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）、SiCEpi层（4）、P-body区（5）、NP区（6）、欧姆接触合金层（12）和正面电极金属层（13）； 所述SiCDrift层（2）的顶面设有若干间隔向下延伸的P-shield区（3）； 所述NP区（6）顶面设有若干向下刻蚀至P-shield区（3）顶面的第一沟槽区（7）和若干向下刻蚀至SiCEpi层（4）内的第二沟槽区（8）； 所述第二沟槽区（8）内设有栅氧化层（9）；所述栅氧化层（9）上设有Poly层（10）； 所述NP区（6）的顶面和第一沟槽区（7）的侧壁分别设有隔离介质层（11）；所述NP区（6）上隔离介质层（11）的底面分别与NP区（6）、第二沟槽区（8）和Poly层（10）连接； 所述欧姆接触合金层（12）底部伸入第一沟槽区（7）内，与所述P-shield区（3）连接，顶部位于所述隔离介质层（11）的侧部。
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