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龙图腾网获悉柔电(武汉)科技有限公司申请的专利一种用于连续进行原子层及分子层沉积的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119392213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411527003.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种用于连续进行原子层及分子层沉积的方法及装置是由解明;肖翌;孙君;吴俊达设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于连续进行原子层及分子层沉积的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于连续进行原子层及分子层沉积的方法及装置，通过反应器结构以及伸缩机构使得本装置在不同工位时进行不同的沉积反应，依次进行原子层沉积技术包覆导电陶瓷层，再进行分子沉积包覆碳材料以及和高温碳化过程，中途不需要取出中间产物，实现连续作业，减少中间设备和设备占用的空间，还降低了中间工序的能耗。

本发明授权一种用于连续进行原子层及分子层沉积的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种连续进行原子层及分子层沉积的装置，其特征在于，包括设置在底板（8）上的加热套（2）和反应器，加热套（2）左右两端设有轴承支座（7），反应器包括回转筒（3）和缩径管（4a、4b），其中，回转筒（3）套设在加热套（2）内部，套装时，二者间隙配合，回转筒（3）的左右两端均连接缩径管（4a、4b），缩径管（4a、4b）从加热套（2）内伸出与轴承支座（7）转动连接； 左侧缩径管（4a）伸出加热套（2）的一端与进气罩（5）连接，进气罩（5）内远离回转筒（3）的一侧设置有均流板（13），所述均流板（13）将进气罩（5）分隔为靠近回转筒（3）的流化腔（14）和远离回转筒（3）的进气腔（15），原子层沉积前驱气体和惰性气体由进气腔（15）通入回转筒（3）； 回转筒（3）靠近进气罩（5）的一端被构造为自缩径管（4a）向回转筒（3）逐渐扩大的锥形腔（24），回转筒（3）中段在相对进气罩（5）的不同距离处截面积相等，缩径管（4a）沿轴线方向为等直径柱状体； 右侧缩径管（4b）伸出加热套（2）的一端与旋转套（6）连接，缩径管（4b）内部设有套管（9），所述套管（9）一端从缩径管（4b）内伸出与旋转套（6）转动连接，套管（9）另一端向回转筒（3）内延伸，所述套管（9）与旋转套（6）之间设置有轴封组件，套管（9）内部设有排气管（10）和进气管（11），分子层沉积前驱气体和惰性气体由进气管（11）通入回转筒（3）； 底板（8）安装有驱动装置，用于驱动回转筒（3）旋转；所述底板（8）靠近进气罩（5）的一侧与底座（21）通过铰链（22）连接，所述底板（8）还与伸缩机构（20）连接，所述伸缩机构（20）可用于驱动底板（8）相对铰链（22）转动，当回转筒（3）的中心轴相对水平面垂直时，回转筒（3）处于用于原子层沉积工艺的工位，当使回转筒（3）的中心轴相对水平面平行时，回转筒（3）处于用于分子沉积和碳化工艺的工位。

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