天合光能股份有限公司杨睿获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利TOPCon太阳能电池、光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297991U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422632081.9，技术领域涉及：H10F77/30；该实用新型TOPCon太阳能电池、光伏组件是由杨睿;赵康;柳伟设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本TOPCon太阳能电池、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请提供了TOPCon太阳能电池、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。TOPCon太阳能电池，包括N型衬底硅；N型衬底硅的第一侧面上设置有硼掺杂层；N型衬底硅的第二侧面包括依次层叠的第一隧穿氧化层、第一n型多晶硅层、第二隧穿氧化层、第二n型多晶硅层、钝化膜、栅线电极；其中，栅线电极投影区的厚度较非栅线电极投影区的厚度薄。设置双层隧穿结构，能有效提升TOPCon太阳能电池开路电压及光电转化率；对后续需要制备栅线电极的对应区域进行减薄处理，使栅线电极投影区的厚度较非栅线电极投影区的厚度薄，有益于金属栅线浆料的选择和烧结工艺，提升了TOPCon太阳能电池的良率及光电转化率。
本实用新型TOPCon太阳能电池、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种TOPCon太阳能电池，其特征在于，包括N型衬底硅； 所述N型衬底硅包括第一侧面以及与所述第一侧面相对设置的第二侧面；所述N型衬底硅的第一侧面上设置有硼掺杂层； 所述N型衬底硅的第二侧面包括依次层叠的第一隧穿氧化层、第一n型多晶硅层、第二隧穿氧化层、第二n型多晶硅层、钝化膜、栅线电极；所述第一隧穿氧化层设置于所述N型衬底硅的第二侧面上，所述钝化膜相较所述第一隧穿氧化层更远离所述N型衬底硅； 其中，所述栅线电极沿TOPCon太阳能电池的厚度方向投影至所述第二隧穿氧化层上时，将所述第二隧穿氧化层划分为栅线电极投影区和非栅线电极投影区；所述栅线电极投影区的厚度较所述非栅线电极投影区的厚度薄。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天合光能股份有限公司，其通讯地址为：213031 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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