北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利选通管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119365063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411523701.3，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权选通管及其制作方法是由王宗巍;杨高琦;蔡一茂;黄如设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本选通管及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种选通管及其制作方法，涉及集成电路技术领域。选通管包括第一电极层、选通层、缓冲层、势垒层以及第二电极层，选通层、缓冲层和势垒层层叠设于第一电极层和第二电极层之间；势垒层的电子亲和势小于选通层的电子亲和势，缓冲层的电子亲和势介于选通层与势垒层之间。通过势垒层局域电子，避免电子向外泄露，从而降低选通管的漏电流，并在选通层与势垒层之间设置缓冲层，缓冲层用于缓冲选通层与势垒层的电子亲和势的差值，避免选通层与势垒层的电子亲和势相差过大导致的选通管性能波动；缓冲层还能能够降低势垒层分压，避免势垒层被高分压击穿。
本发明授权选通管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种选通管，其特征在于，所述选通管包括第一电极层、选通层、缓冲层、势垒层以及第二电极层，所述选通层、所述缓冲层和所述势垒层层叠设于所述第一电极层和所述第二电极层之间； 所述势垒层的电子亲和势小于所述选通层的电子亲和势，所述缓冲层的电子亲和势介于所述选通层与所述势垒层之间； 所述缓冲层靠近所述势垒层的一侧的氧元素的含量大于所述缓冲层靠近所述选通层的一侧的氧元素的含量，自所述选通层向所述势垒层的方向，所述缓冲层的氧元素的含量逐渐增大；所述缓冲层的击穿电压大于所述势垒层的击穿电压； 所述选通层包括多层选通材料层，自所述选通层向所述势垒层的方向，多层所述选通材料层的氧元素的含量逐渐增大，所述选通层的电子亲和势平滑渐变。
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