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深圳市积加创新技术有限公司黄德超获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市积加创新技术有限公司申请的专利一种法拉电容的充放电控制保护电路获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223297394U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422584114.7,技术领域涉及:H02J7/00;该实用新型一种法拉电容的充放电控制保护电路是由黄德超;唐小虎;蒲立;孙晓路设计研发完成,并于2024-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

一种法拉电容的充放电控制保护电路在说明书摘要公布了:本申请属于充放电保护领域,为一种法拉电容的充放电控制保护电路,包括复位芯片、控制电路和自锁电路;自锁电路包括第一MOS管、第二MOS管、第一电阻和第二电阻;第一MOS管的栅极与复位芯片的1脚相连、源极接地、漏极与第二MOS管的栅极相连;复位芯片的3脚连接电源VBAT;第二MOS管的源极连接接口VIN,第二MOS管的漏极连接充放电接口VBAT。通过复位芯片和自锁电路,一旦检测到法拉电容电压达到额定使用上限,即可控制继电器断开并保持断电状态,直到手动复位或通过其他控制信号恢复。这种自锁机制有效防止了过充现象的发生,延长了法拉电容的使用寿命,并减少了因过充导致的安全隐患。

本实用新型一种法拉电容的充放电控制保护电路在权利要求书中公布了:1.一种法拉电容的充放电控制保护电路,其特征在于:包括复位芯片1、控制电路和自锁电路;所述控制电路与复位芯片1相连,用于实现充电控制;所述自锁电路与复位芯片1相连,用于实现开关控制;所述自锁电路包括第一MOS管2、第二MOS管3、第一电阻4和第二电阻5;所述第一MOS管2的栅极与复位芯片1的1脚相连、源极接地、漏极与第二MOS管3的栅极相连;所述复位芯片1的3脚连接电源VBAT;所述第二MOS管3的源极连接接口VIN,接口VIN为太阳能板电源充电输入接口,所述第二MOS管3的漏极连接充放电接口VBAT;所述第一电阻4连接于接口VIN和第一MOS管2的栅极之间,所述第二电阻5连接于第一MOS管2的漏极和第二MOS管3的源极之间,起到降压作用;所述第一MOS管2为N型MOS管,第二MOS管3为P型MOS管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市积加创新技术有限公司,其通讯地址为:518063 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区白石路3609号深圳湾科技生态园二区9栋B2013;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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