福建省晋华集成电路有限公司许培育获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223297935U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422580220.8,技术领域涉及:H10B41/20;该实用新型半导体器件是由许培育;蔡建成;孔果果;何世伟;吴建山;江丽贞;吴媛;黄世平设计研发完成,并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了:本申请公开了半导体器件,涉及半导体器件技术领域。该半导体器件包括衬底、堆叠结构以及第一覆盖层。堆叠结构设置在衬底上,包括阵列部和第一阶梯部,其中,第一阶梯部具有沿第一方向逐渐递减高度的多个第一阶梯表面。第一覆盖层设置在堆叠结构上,覆盖阵列部并暴露第一阶梯部,其中,第一覆盖层的顶面高于第一阶梯部的最顶面。在垂直于衬底的方向上,多个第一阶梯表面同时与第一覆盖层的侧壁切齐。如此,第一阶梯部相对于阵列部的长度比或面积比得以有效缩减,使得半导体器件的结构更为紧密、稳固,而能达到优化的操作表现。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括: 衬底; 堆叠结构,设置在所述衬底上,包括阵列部和第一阶梯部,所述第一阶梯部具有沿第一方向逐渐递减高度的多个第一阶梯表面;以及 第一覆盖层,设置在所述堆叠结构上,覆盖所述阵列部并暴露所述第一阶梯部,所述第一覆盖层的顶面高于所述第一阶梯部的最顶面; 在垂直于所述衬底的方向上,所述多个第一阶梯表面同时与所述第一覆盖层的侧壁切齐。
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