安建科技有限公司梁嘉进获国家专利权
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龙图腾网获悉安建科技有限公司申请的专利一种沟槽型MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223297941U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422564223.2，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种沟槽型MOSFET器件是由梁嘉进;管浩;伍震威;单建安设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽型MOSFET器件在说明书摘要公布了：一种沟槽型MOSFET器件，本实用新型涉及于功率半导体器件，为实现减少器件的元胞尺寸并实现更好的击穿电压和导通电阻的折中，本实用新型提出一种新型的屏蔽栅沟槽型场效应管，半导体元胞沟槽由Z方向的多个间隔方式周期性排列的深沟槽和浅沟槽构成，其中深沟槽比浅沟槽深0.3‑4um，所述的浅沟槽和深沟槽内设有相互隔离的位于沟槽上方的栅电极及沟槽下方的屏蔽栅电极，栅电极和与对应的沟槽侧壁之间通过栅氧化层隔离，屏蔽栅电极和对应的沟槽侧壁之间通过沟槽隔离层隔离；所述的栅电极和屏蔽栅电极在Z方向相连，所述的屏蔽栅电极在Z方向随沟槽深度不同呈高低起伏变化且在适当的位置连接至位于上表面的源极金属。
本实用新型一种沟槽型MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型MOSFET器件，所述的器件内设有第一导电型半导体区，其特征在于，所述的第一导电型半导体区内在设有一系列周期性排列的相互平行的半导体元胞沟槽，每个所述的半导体元胞沟槽由多个间隔方式周期性排列的深沟槽和浅沟槽构成，其中深沟槽比浅沟槽深0.3-4um，所述的浅沟槽和深沟槽内设有相互隔离的位于沟槽上方的栅电极及沟槽下方的屏蔽栅电极，栅电极和与对应的沟槽侧壁之间通过栅氧化层隔离，屏蔽栅电极和对应的沟槽侧壁之间通过沟槽隔离层隔离；所述的栅电极和屏蔽栅电极在Z方向相连，所述的屏蔽栅电极在Z方向随沟槽深度不同呈高低起伏变化且在适当的位置连接至位于上表面的源极金属。
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