宜兴市三鑫电子有限公司宗荣生获国家专利权
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龙图腾网获悉宜兴市三鑫电子有限公司申请的专利一种大功率IGBT并联功率模块封装结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223296800U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422559713.3,技术领域涉及:H01L23/04;该实用新型一种大功率IGBT并联功率模块封装结构是由宗荣生;白艳;芦亚苹设计研发完成,并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大功率IGBT并联功率模块封装结构在说明书摘要公布了:本实用新型涉及大功率IGBT并联功率模块封装的技术领域,特别是涉及一种大功率IGBT并联功率模块封装结构,其通过设置固定机构和安装机构,从而使大功率IGBT并联功率模块封装过程中,可以方便的对某个单独的损坏模块进行拆装,从而便于日常的维修更换;包括封装机构;还包括多组压紧机构、多组固定机构和多组安装机构,多组压紧机构安装在封装机构上,多组固定机构安装在封装机构上,多组安装机构安装在封装机构上;所述封装机构进行封装,压紧机构进行压线,固定机构进行固定快拆,安装机构进行安装模块。
本实用新型一种大功率IGBT并联功率模块封装结构在权利要求书中公布了:1.一种大功率IGBT并联功率模块封装结构,包括封装机构(1);其特征在于,还包括多组压紧机构(2)、多组固定机构(3)和多组安装机构(4),多组压紧机构(2)安装在封装机构(1)上,多组固定机构(3)安装在封装机构(1)上,多组安装机构(4)安装在封装机构(1)上; 所述封装机构(1)进行封装,压紧机构(2)进行压线,固定机构(3)进行固定快拆,安装机构(4)进行安装模块。
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