苏州实验室郁骁琦获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州实验室申请的专利衍射型面发射半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118970623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411435526.2，技术领域涉及：H01S5/18；该发明授权衍射型面发射半导体激光器是由郁骁琦;郑煜臻;杨辉设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本衍射型面发射半导体激光器在说明书摘要公布了：本申请提供一种衍射型面发射半导体激光器。该衍射型面发射半导体激光器包括上电极、上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到所述有源层时，有源层发射光；有源层的至少一侧设置有半径为R的光学调制结构，光学调制结构的中心区域形成有半径为r的微腔；其中，光学调制结构包括第一环形光栅结构或第一环形光子晶体结构；并且，rR的取值范围为4%～44%。上述衍射型面发射半导体激光器，通过控制微腔与光学调制结构的大小满足上述关系，可以提高基模与高阶模的阈值增益差，从而有利于发散角小、激光光束质量因子小的单模激光优先激射。
本发明授权衍射型面发射半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种衍射型面发射半导体激光器，包括上电极、上包层、上波导层、有源层、下波导层、下包层，当载流子被注入到所述有源层时，所述有源层发射光； 其特征在于， 所述有源层的至少一侧设置有半径为R的光学调制结构，所述光学调制结构的中心区域形成有半径为r的微腔； 其中， 所述光学调制结构包括第一环形光栅结构或第一环形光子晶体结构；并且，rR的取值范围为4%～44%。
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