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龙图腾网获悉沈阳工业大学申请的专利一种铽掺杂NASICON型钠离子导体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119241231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411388818.5，技术领域涉及：C04B35/48；该发明授权一种铽掺杂NASICON型钠离子导体材料及其制备方法是由杨甜甜;黄海雄;樊江涛;米苡硕设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铽掺杂NASICON型钠离子导体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于钠离子固体电解质制造领域，具体涉及一种铽掺杂NASICON型钠离子导体材料及其制备方法。该铽掺杂NASICON型钠离子导体材料的化学计量式为Na3+xZr2‑xTbxSi2PO12，其中，0＜x≤0.3，其总离子电导率为3.07×10‑4Scm～1.02×10‑3Scm。与现有技术相比，本发明通过适量地用铽离子取代NASICON结构中的骨架离子（如Zr4+），增加了可迁移钠离子的浓度，从而提高离子电导率。本发明铽离子的掺杂有效地增大钠离子传输通道的尺寸，降低传输能量势垒，进而提高离子电导率。本发明通过铽离子掺杂的Na3.2Zr1.8Tb0.2Si2PO12电解质在室温下的离子电导率达到了1.02×10‑3Scm。本发明选用的原料为经济实惠的氧化物，这些原料不仅易于采购，而且价格低廉，有助于减少生产成本。

本发明授权一种铽掺杂NASICON型钠离子导体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铽掺杂NASICON型钠离子导体材料的制备方法，其特征在于：包括制备步骤如下： 1）原料粉体的处理：将Na2CO3粉体在900℃焙烧7小时，ZrO2粉体在900℃焙烧10小时，将SiO2粉体、NH4H2PO4粉体和Tb2O3粉体在120℃下干燥18小时； 2）称量和配料：依据Na3.2Zr1.8Tb0.2Si2PO12中的Na、Zr、Tb、Si、P化学计量比称量步骤1）中处理好的Na2CO32.7533g、ZrO23.6010g、SiO21.9512g、NH4H2PO41.8351g和Tb2O30.5940g原料粉体，其中称取15wt%过量的Na2CO3和NH4H2PO4以补偿高温下钠的挥发损失； 3）研磨与混合：在无尘环境中，将称量好的原料粉体和研磨助剂无水乙醇进行球磨，以1200rmin的速率进行球磨1小时，研磨混合均匀；将球磨后的混合粉体均匀装入坩埚，并确保坩埚盖密封； 4）粉体合成：将步骤3）的装载有混合粉体的坩埚放入预热的马弗炉内，以4℃min的速率升温至980℃，并在此温度区间内保持6小时，让坩埚随炉温自然冷却至200℃，取出合成粉体后，在研钵中研磨60min，以获得最终的前驱体粉体； 5）制粒、压片：称取0.8g上述步骤4）得到的前驱体粉体，向前驱体粉体中加入质量浓度5%的聚乙烯醇缩丁醛溶液，聚乙烯醇缩丁醛溶液的加入量为前驱体粉体质量的20%，在玛瑙研钵中研磨使前驱体粉体与聚乙烯醇缩丁醛溶液混合均匀，待完全干燥后将前驱体粉体装在模具内在30MPa压力下保持1min进行造粒，将造粒后的粉料在50MPa压力下保持1min得到直径为10mm厚度范围为2.0mm固态电解质成型片； 6）排胶：将步骤5）压好的固态电解质成型片放在50℃的烘箱中，预热后，取出固态电解质成型片并冷却至室温，然后竖立放置在敞口坩埚内置于马弗炉中，以1℃min的速率升温至500℃，并在500℃下保温2小时进行排胶处理，排胶完成后，关闭加热，让固态电解质成型片随炉内温度自然冷却至室温，得到样品片； 7）烧结：烧结前使用相同组分的母粉铺制约1mm厚于氧化铝坩埚内侧，压实母粉保证其在坩埚盖表面分布均匀，将步骤6）得到的样品片放置在母粉上，再用相同组分的母粉覆盖，最后将坩埚倒置在氧化铝坩埚盖上轻轻按压坩埚和坩埚盖，确保密封性，将密封好的坩埚立即放到马弗炉中先以5℃min的升温速率升至1000℃，再以3℃min的速率升温至1180℃，再在此温度下保温10h，冷却后，打开坩埚盖，取出致密晶态的陶瓷材料； 该铽掺杂NASICON型钠离子导体材料的总离子电导率为1.02×10-3Scm。

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