广东工业大学王铁军获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利Bi2S3-In2S3半导体异质结光热催化剂及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119098190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411229984.0，技术领域涉及：B01J27/04；该发明授权Bi2S3-In2S3半导体异质结光热催化剂及其制备方法与应用是由王铁军;杨靖瑶;皮云红;刘舒婷;陈燕;林文婷;曾蔡梓钰设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本Bi2S3-In2S3半导体异质结光热催化剂及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Bi2S3‑In2S3半导体异质结光热催化剂及其制备方法与应用；其技术方案是采用将Bi掺杂氨基In‑MOF原位高温硫化的方法制备了具有宽光谱响应的Bi2S3‑In2S3半导体异质结光热催化剂；该催化剂能将光催化和热催化结合起来，实现了光热协同效应，协同作用促使其在可见光照射下表现出优异的光催化活性，同时在加热的条件下可以加速催化剂表面产物的解吸，促进光生电子和空穴的有效利用，在光热协同催化条件下的产氢量有了明显的提高，在低温下也能有一定的产氢量。
本发明授权Bi2S3-In2S3半导体异质结光热催化剂及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种Bi2S3-In2S3半导体异质结光热催化剂制备方法，其特征在于，依次包括下述步骤： S1.将铟源和有机配体加入有机溶剂中，搅拌分散均匀后得到氨基In-MOF材料的前驱体溶液； S2.将铋源加入到步骤S1所得的氨基In-MOF材料的前驱体溶液中，充分搅拌分散后在100~150℃下反应2～5h，即可得到Bi掺杂的氨基In-MOF材料； S3.将S2所得到的Bi掺杂氨基In-MOF和硫源溶解在有机溶剂中，充分搅拌分散后在180~200℃下反应12～24h，即得到Bi2S3-In2S3半导体异质结光热催化剂； 其中：步骤S2中所述铋源与铟源的质量比为0.05~0.1：1； 步骤S3中，所述In-MOF、硫源的质量比为1:1~3； 所述的有机配体为2-氨基-对苯二甲酸。
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