浙江创芯集成电路有限公司戴俭获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118884783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411178587.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法是由戴俭;吴永玉;陶然;汪沛;吕军军设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法在说明书摘要公布了：一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法，包括：提供待测衬底；对待测衬底进行实验处理，实验处理包括：在待测衬底表面覆盖待测光刻胶层；采用目标离子注入工艺，向待测光刻胶层表面注入离子；在向待测光刻胶层表面注入离子之后，去除待测光刻胶层；在实验处理之后，采用MOS器件工艺，在待测衬底上形成待测MOS器件组，待测MOS器件组包括至少一个待测MOS器件；对各待测MOS器件分别进行阈值电压检测，获取至少一个待测MOS器件的阈值电压检测值；根据至少一个待测MOS器件的阈值电压检测值，对待测光刻胶层能否阻挡目标离子注入工艺中的离子注入进行判定，利于提高判定的精确性。
本发明授权一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法在权利要求书中公布了：1.一种检查光刻胶能否阻挡离子注入的方法，其特征在于，包括： 提供待测衬底； 对所述待测衬底进行实验处理，所述实验处理包括： 在所述待测衬底表面覆盖待测光刻胶层； 采用目标离子注入工艺，向所述待测光刻胶层表面注入离子； 在向所述待测光刻胶层表面注入离子之后，去除所述待测光刻胶层； 在所述实验处理之后，采用MOS器件工艺，在所述待测衬底上形成待测MOS器件组，所述待测MOS器件组包括至少一个待测MOS器件； 对各所述待测MOS器件分别进行阈值电压检测，获取至少一个所述待测MOS器件的阈值电压检测值； 根据至少一个所述待测MOS器件的阈值电压检测值，对所述待测光刻胶层能否阻挡所述目标离子注入工艺中的离子注入进行判定。
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