广州增芯科技有限公司陈勇彬获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利矩阵式压力传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118936691B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411152780.1，技术领域涉及：G01L1/14；该发明授权矩阵式压力传感器的制备方法是由陈勇彬设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本矩阵式压力传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种矩阵式压力传感器的制备方法，其利用了IC工艺，该制备方法包括：提供第一衬底以及第二衬底；在第一衬底的表面形成第一键合介质；通过第一键合介质，将第一衬底和第二衬底键合；在第二衬底的表面形成孔柱，孔柱贯穿第二衬底以及第一键合介质；在孔柱的侧壁沉积隔离层；在孔柱内填充应变层，应变层的厚度高于第一键合介质的厚度；去除隔离层以及第一键合介质，形成空腔；在孔柱位于第二衬底的位置形成孔塞，密封空腔。本发明的制作过程工艺可靠稳定，且在衬底上形成的传感器点阵密度较高，兼顾降低传感器空间的要求。
本发明授权矩阵式压力传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种矩阵式压力传感器的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1：提供第一衬底以及第二衬底； 步骤S2：在所述第一衬底的表面形成第一键合介质； 步骤S3：通过所述第一键合介质，将所述第一衬底和所述第二衬底键合； 步骤S4：在所述第二衬底的表面形成孔柱，所述孔柱贯穿所述第二衬底以及所述第一键合介质； 步骤S5：在孔柱的侧壁沉积隔离层； 步骤S6：在所述孔柱内填充应变层，所述应变层的厚度高于所述第一键合介质的厚度； 步骤S7：去除所述隔离层以及所述第一键合介质，形成空腔； 步骤S8：在所述孔柱位于所述第二衬底的位置形成孔塞，密封所述空腔； 步骤S9：分别在所述第一衬底背离所述空腔的表面以及所述第二衬底背离所述空腔的表面上沉积第一金属板以及第二金属板，所述第一金属板与所述空腔的上表面对应，所述第二金属板与所述空腔的下表面对应。
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