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西安交通大学史乐获国家专利权

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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于垂直排列聚多巴胺插层蒙脱土纳米片的质子交换膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118841587B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410839317.8,技术领域涉及:H01M8/0245;该发明授权一种基于垂直排列聚多巴胺插层蒙脱土纳米片的质子交换膜及其制备方法是由史乐;高宇栓;成永红设计研发完成,并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于垂直排列聚多巴胺插层蒙脱土纳米片的质子交换膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于垂直排列聚多巴胺插层蒙脱土纳米片的质子交换膜及其制备方法,将热处理后的MMT样品与超纯水混合,高速下搅拌至热处理后的MMT样品充分重水合,经超声处理得到具有均匀尺径的MMT纳米片分散液;加入DA粉末并充分搅拌得到DA与MMT分散液体系,调节pH值,充分搅拌后得到黑褐色的PDA‑MMT纳米片分散液;对黑褐色PDA‑MMT纳米片分散液真空抽滤并额外超纯水进行润洗,自然晾干后得到PDA‑MMT薄膜;筛选得到水相稳定的xDA‑MMT薄膜;对水相稳定的xDA‑MMT薄膜进行相关表征并测试其沿面质子传导性能,筛选水相稳定条件下最优质子传导性能xDA‑MMT薄膜,通过高聚物封装与垂直纳米片方向精密切割制得厚度均一的VAPMM质子交换膜。本发明制备的VAPMM薄膜成本低于商用Nafion薄膜,具有良好的环境友好性,具有良好的水相稳定性。

本发明授权一种基于垂直排列聚多巴胺插层蒙脱土纳米片的质子交换膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于垂直排列聚多巴胺插层蒙脱土纳米片的质子交换膜制备方法,其特征在于,包括以下步骤: S1、对MMT粉末进行热处理,得到MMT样品; S2、将步骤S1热处理后的MMT样品与超纯水混合,高速下搅拌至热处理后的MMT样品充分重水合,经超声处理得到具有均匀尺径的MMT纳米片分散液; S3、将DA粉末加入步骤S2制备的MMT纳米片分散液中充分搅拌,得到DA与MMT分散液体系; S4、调节DA与MMT分散液体系的pH值,充分搅拌后得到黑褐色的PDA-MMT纳米片分散液; S5、将步骤S4得到的黑褐色PDA-MMT纳米片分散液进行真空抽滤,并额外超纯水进行润洗,自然晾干后得到PDA-MMT薄膜; S6、对步骤S5得到的PDA-MMT薄膜进行水相稳定性测试,以x作为DA与MMT的相对质量比,筛选得到水相稳定的xDA-MMT薄膜; S7、对步骤S6得到的水相稳定的xDA-MMT薄膜进行相关表征并测试其沿面质子传导性能,筛选水相稳定条件下最优质子传导性能xDA-MMT薄膜,经过高聚物封装以及沿垂直于纳米片方向进行精密切割制得厚度均一的VAPMM质子交换膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学,其通讯地址为:710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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