哈尔滨工业大学任姿颖获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种磁传感器位置的筛选方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117973132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410155522.2,技术领域涉及:G06F30/23;该发明授权一种磁传感器位置的筛选方法是由任姿颖;魏立秋;扈延林;韩亮;于达仁设计研发完成,并于2024-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁传感器位置的筛选方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种磁传感器位置的筛选方法,涉及霍尔推力器在轨性能监测技术领域,该筛选方法包括磁通大小要求、磁通增量要求、与霍尔推力器的相对位置要求和传感器间距要求。其中,磁通大小要求能够保证目标位置的磁通密度在有无周向漂移电流时均处于磁传感器线性响应范围内;磁通增量要求能够保证周向漂移电流感生磁通变化时引起的电压变化量尽量大;与霍尔推力器的相对位置要求能够保证传感器不受霍尔推力器的羽流和散热的干扰;传感器间距要求能够保证传感器两两之间互不交叠。本发明能够解决当前传感器摆放位置的随机性导致的磁通法测量周向漂移电流效果不理想的问题,改善对霍尔推力器在轨性能估计的准确程度。
本发明授权一种磁传感器位置的筛选方法在权利要求书中公布了:1.一种磁传感器位置的筛选方法,其特征在于,包括: 获取霍尔推力器产生周向漂移电流前后候选区域内的磁通数据;所述候选区域由霍尔推力器的尺寸设计确定,且所述候选区域内的所有网格节点构成候选网格节点集合;所述磁通数据包括:无周向电流磁场时的候选网格节点集合中各个网格节点的磁通密度值B0和有周向电流磁场时的候选网格节点集合中各个网格节点的磁通密度值B;所述磁通密度值B0包括磁通密度径向分量Br0与磁通密度轴向分量Bz0;所述磁通密度值B包括磁通密度径向分量Br与磁通密度轴向分量Bz; 根据所述磁通数据和磁传感器的线性测量阈值,从所述候选网格节点集合中筛选出满足磁通大小要求的网格节点,得到第一网格节点集合; 根据所述磁通数据经磁传感器接收后产生的输出电压,从所述第一网格节点集合中筛选出满足磁通增量要求的网格节点并进行优先级排序,得到第二径向有序网格节点集合和第二轴向有序网格节点集合; 从所述第二径向有序网格节点集合和所述第二轴向有序网格节点集合中分别筛选出满足与霍尔推力器的相对位置要求的网格节点,得到第三径向有序网格节点集合和第三轴向有序网格节点集合; 从所述第三径向有序网格节点集合和所述第三轴向有序网格节点集合中分别筛选出满足传感器间距要求的设定个数的网格节点,得到第四径向有序网格节点集合和第四轴向有序网格节点集合; 将所述第四径向有序网格节点集合和所述第四轴向有序网格节点集合中的所有网格节点的位置确定为磁传感器的摆放位置。
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