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龙图腾网获悉成都华微电子科技股份有限公司申请的专利低输入电压负向输出超低噪声的线性稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117234271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311435600.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权低输入电压负向输出超低噪声的线性稳压器是由马迎;丛伟林;冯浪;田梓宏;周兴建;梁宇;刘中伟;房凯飞;常俊昌设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本低输入电压负向输出超低噪声的线性稳压器在说明书摘要公布了：低输入电压负向输出超低噪声的线性稳压器，涉及集成电路技术，本发明包括基准电路、误差放大器和驱动电路，驱动电路的输出端接功率管的栅极，其特征在于，所述驱动电路具有正性输入端和负性输入端，误差放大器的输出端与驱动电路的负性输入端连接。本发明大幅降低了线性稳压器的输出噪声，同时，线性稳压器产生负相输出，为负载提供负相的电压源；具有高增益的驱动电路具有抑制输入电压的噪声；扩展了输入电压范围。

本发明授权低输入电压负向输出超低噪声的线性稳压器在权利要求书中公布了：1.低输入电压负向输出超低噪声的线性稳压器，包括基准电路、误差放大器和驱动电路，驱动电路的输出端接功率管的栅极，其特征在于，所述驱动电路具有正性输入端和负性输入端，误差放大器的输出端与驱动电路的负性输入端连接，所述驱动电路包括： 第十一PMOS管（PMOS11），其源极接地，栅极和漏极通过第十二电阻（R12）接电压输入端（VIN）； 第十二PMOS管（PMOS12），其源极接地，栅极接第十一PMOS管（PMOS11）的栅极，漏极通过第十三电阻（R13）接电压输入端（VIN）； 第十三PMOS管（PMOS13），其源极接地，漏极和栅极之间设置有第十二电容（C12），栅极接第十二PMOS管（PMOS12）的漏极； 第十四PMOS管（PMOS14），其源极接地，栅极作为第三偏置电压输入点； 第十五PMOS管（PMOS15），其源极接第十四PMOS管（PMOS14）的漏极，栅极接第十二PMOS管（PMOS12）的漏极； 第十八PMOS管（PMOS18），其源极接地，栅极接第五偏置电压输入点； 第十六PMOS管（PMOS16），其源极接第十八PMOS管（PMOS18）的漏极，栅极接驱动电路的负性输入端，漏极接第十一PMOS管（PMOS11）的漏极； 第十七PMOS管（PMOS17），其源极接第十八PMOS管（PMOS18）的漏极，栅极接驱动电路的正性输入端，漏极接第十二PMOS管（PMOS12）的漏极； 第十一NMOS管（NMOS11），其漏极和栅极接第十五PMOS管（PMOS15）的漏极，源极接电压输入端（VIN），漏极作为驱动电路的输出端； 第二十一NMOS管（NMOS21），其栅极接驱动电路的正性输入端，漏极通过第二十一电阻（R21）接地； 第二十二NMOS管（NMOS22），其栅极接驱动电路的负性输入端，漏极通过第二十二电阻（R22）接地； 第二十六NMOS管（NMOS26），其栅极接第四偏置电压输入端，漏极接第二十一NMOS管（NMOS21）的源极和第二十二NMOS管（NMOS22）的源极，源极接电压输入端（VIN）； 第二十三NMOS管（NMOS23），其栅极和漏极接第二十一NMOS管（NMOS21）的漏极，源极接电压输入端（VIN）； 第二十四NMOS管（NMOS24），其栅极接第二十三NMOS管（NMOS23）的栅极，漏极接第十一PMOS管（PMOS11）的漏极，源极接电压输入端（VIN）； 第二十五NMOS管（NMOS25），其漏极接第十二PMOS管（PMOS12）的漏极，源极接电压输入端（VIN）； 第二十七NMOS管（NMOS27），其栅极和漏极接第二十二NMOS管（NMOS22）的漏极，源极接电压输入端（VIN），栅极还与第二十五NMOS管（NMOS25）的栅极连接。

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