西安电子科技大学;松山湖材料实验室李智敏获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学;松山湖材料实验室申请的专利一种低温烧结的高Q×f值Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117142852B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311117248.1，技术领域涉及：C04B35/495；该发明授权一种低温烧结的高Q×f值Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料及其制备方法是由李智敏;许承智;杨鸿宇;赵国瑞设计研发完成，并于2023-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低温烧结的高Q×f值Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低温烧结的高Q×f值Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料及其制备方法，制备方法包括：S1、将Al2O3原始粉料和MoO3原始粉料按照化学通式Al2Mo3+xO12+3x进行配料，得到混合粉体，其中，0.02≤x≤0.06；S2、将混合粉体依次进行第一次行星球磨和过筛，并将过筛粉体进行预烧，得到预烧粉体；S3、将预烧粉体进行第二次行星球磨、烘干和粘结造粒，得到陶瓷生料；S4、将陶瓷生料压制成型并进行排胶，排胶后在775～825℃条件下烧结4～6小时，得到Al2Mo3+ xO12+3x微波介质陶瓷材料。该方法在形成Al2Mo3+ xO12+3x低温固溶相的同时降低了晶格损耗，制得的微波介质陶瓷在保证较低的介电常数的同时仍具有十分优异Q×f值，为低烧低介低损耗的材料增加了相应的研究基础，拓宽了低介电常数LTCC微波介质陶瓷的选择范围。
本发明授权一种低温烧结的高Q×f值Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低温烧结的高Q×f值Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1、将Al2O3原始粉料和MoO3原始粉料按照化学通式Al2Mo3+xO12+3x进行配料，得到混合粉体，其中，0.02≤x≤0.06； S2、将所述混合粉体依次进行第一次行星球磨和过筛，并将过筛粉体进行预烧，得到预烧粉体； S3、将所述预烧粉体进行第二次行星球磨、烘干和粘结造粒，得到陶瓷生料； S4、将所述陶瓷生料压制成型并进行排胶，排胶后在775～825℃条件下烧结4～6小时，得到Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料；其中，所述Al2Mo3+xO12+3x微波介质陶瓷材料的晶体结构为纯相单斜晶体结构。
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