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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利半导体薄片的拉曼非活性层间呼吸模式测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119104533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310683481.X，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权半导体薄片的拉曼非活性层间呼吸模式测试方法是由林妙玲;谭平恒;刘雪璐;吴江滨设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体薄片的拉曼非活性层间呼吸模式测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体薄片的拉曼非活性层间呼吸模式测试方法，涉及光谱技术领域，该方法包括：采用过渡金属硫族化合物在复合硅衬底上制备多层二维半导体薄片样品；利用光学显微镜在所述复合硅衬底表面找到需要测试的样品，所测试区域构成声子‑光学腔；利用低波数显微拉曼谱仪测试样品在平行偏振和交叉偏振配置下的低波数显微拉曼光谱；将平行偏振配置下的低波数显微拉曼光谱减去交叉偏振配置下的低波数显微拉曼光谱，得到样品的呼吸模式拉曼光谱，从而确定多层二维半导体薄片样品的拉曼非活性层间呼吸模式。通过复合硅衬底上多层二维半导体薄片样品的声子腔和光学腔强耦合效应可实现对多层二维半导体薄片样品拉曼非活性层间呼吸模式的探测。

本发明授权半导体薄片的拉曼非活性层间呼吸模式测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体薄片的拉曼非活性层间呼吸模式测试方法，其特征在于，包括： 采用过渡金属硫族化合物作为半导体材料，在复合硅衬底上制备多层二维半导体薄片样品； 利用光学显微镜在所述复合硅衬底表面找到所述多层二维半导体薄片样品的测试区域；所述测试区域构成声子-光学腔； 利用低波数显微拉曼谱仪向所述测试区域发射竖直偏振激发光并收集竖直偏振的散射光信号，以测试所述测试区域在平行偏振配置下的低波数显微拉曼光谱； 利用所述低波数显微拉曼谱仪向所述测试区域发射水平偏振激发光并收集竖直偏振的散射光信号，以测试所述测试区域在交叉偏振配置下的低波数显微拉曼光谱；低波数显微拉曼光谱测试所使用的激发光波长与所述多层二维半导体薄片样品C激子能量所对应的波长相匹配； 将平行偏振配置下的低波数显微拉曼光谱减去交叉偏振配置下的低波数显微拉曼光谱，得到所述多层二维半导体薄片样品的呼吸模式拉曼光谱； 对所述呼吸模式拉曼光谱进行洛伦兹拟合，得到所述呼吸模式拉曼光谱的峰位； 将所述峰位与预设的线性链模型和键极化率模型的预测结果进行比对，得到所述多层二维半导体薄片样品的拉曼非活性层间呼吸模式； 所述线性链模型用于预测所述多层二维半导体薄片样品的层间呼吸模式的峰位； 所述键极化率模型用于预测所述多层二维半导体薄片样品的层间呼吸模式的强度分布。

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