中国科学院上海微系统与信息技术研究所陈垒获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310349785.2，技术领域涉及：H10N60/80；该发明授权一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法是由陈垒;郁淑婕;王悦;王镇设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法，所述场效应超导约瑟夫森结器件包括：衬底、桥结左岸电极、桥结右岸电极、绝缘沟道、纳米桥、绝缘介质层及电压极；所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极及所述桥结右岸电极相互隔离；所述纳米桥横跨所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极与所述桥结右岸电极连接；所述绝缘介质层包覆所述纳米桥；所述电压极位于所述绝缘介质层上侧，向所述纳米桥施加调制电场。本发明提供的场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法能够解决现有约瑟夫森场结效应管临界电流过低，工作温度过低，无法应在超导集成电路中的问题。
本发明授权一种场效应超导约瑟夫森结器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种场效应超导约瑟夫森结器件，其特征在于，所述场效应超导约瑟夫森结器件包括：衬底、桥结左岸电极、桥结右岸电极、绝缘沟道、纳米桥、绝缘介质层及电压极； 所述桥结左岸电极、所述绝缘沟道及所述桥结右岸电极位于所述衬底上侧，且所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极及所述桥结右岸电极相互隔离； 所述纳米桥横跨所述绝缘沟道将所述桥结左岸电极与所述桥结右岸电极连接，并至少位于所述桥结左岸电极的部分上表面及所述桥结右岸电极的部分上表面； 所述绝缘介质层包覆所述纳米桥，设置在所述桥结左岸电极、所述绝缘沟道及所述桥结右岸电极上侧； 所述电压极位于所述绝缘介质层上侧，并且在俯视方向上，所述电压极的投影至少覆盖所述纳米桥与所述绝缘沟道重叠的区域。
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