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龙图腾网获悉中国科学院新疆理化技术研究所申请的专利一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116540047B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310208538.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法是由崔江维;李潇;郑齐文;李豫东;郭旗设计研发完成，并于2023-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为：工艺制造过程中的细微波动，会导致不同批次及批次内器件电参数出现差异性。通过对两批次器件开展参数测试试验，基于数据统计分析方法，在同一坐标轴的基础上进行两个批次的分布对比，建立器件参数与工艺批次信息识别的映射关系，最终获得对器件工艺批次信息识别敏感的电参数。

本发明授权一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法在权利要求书中公布了：1.一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，其特征在于该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成，具体操作按下列步骤进行： 器件参数测试： a、在室温下测试两批次商用N沟道VDMOS器件的转移特性曲线IDS-VGS，通过转移特性曲线提取器件的最大跨导、阈值电压、亚阈值摆幅，测试器件的电容电压特性曲线COSS-VDS曲线，输出电容从电容电压特性曲线中提取，直接测试导通电阻和正向压降，将两批次所有合格器件作为测试样品，并对样品编号； 批量数据统计分析： b、根据步骤a中两批次器件所测得的参数数据，统计分析两批次器件同一参数的分布规律，选定第一批次和第二批次器件的同一参数作为横坐标，其器件频数作为纵坐标，在同一个坐标轴内绘制正态分布直方图，器件频数表征为直方图的分布，均数表征为正态曲线的高峰，与均数距离大小的值用于表征器件频数大小，以及曲线扁平或瘦高用于表征数据分布离散或集中程度，通过批量数据统计后，在同一参数表征条件下，区分两批次器件分布情况； 敏感批次参数确立： c、通过步骤b中相同电参数下表征的两批次器件正态分布图的波动与批次的相关性、峰值与批次的相关性，再将电参数和电参数之间表征的两批次器件分布进行对比，建立器件参数与工艺批次信息识别的映射关系，确定器件参数对工艺批次信息的敏感程度。

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