四川大学曾广根获国家专利权
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龙图腾网获悉四川大学申请的专利一种II-VI族化合物薄膜/硅并联叠层的太阳电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116072750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310146815.X，技术领域涉及：H10F19/40；该发明授权一种II-VI族化合物薄膜/硅并联叠层的太阳电池是由曾广根;冯良桓;李卫;杨秀涛;郑雨洁;张鑫设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种II-VI族化合物薄膜/硅并联叠层的太阳电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种II‑VI族化合物薄膜硅并联叠层的太阳电池，该太阳电池包括整体厚度小于1微米，光谱响应范围为300nm至690～800nm，透光率可以调整20%～60%的II‑VI族化合物薄膜顶太阳电池，以及基本结构为p‑i‑n或n‑i‑p的晶硅底太阳电池。顶太阳电池与底太阳电池采用并联的方式进行电极连接，并通过透明聚合物材料实现粘接叠层。本发明解决了顶太阳电池制作时的高温过程对底太阳电池的热影响，并避免了复杂隧穿结的制作。本发明能够最大程度地利用太阳电池的成熟制作工艺，节约成本，也能够最大程度地利用太阳光谱300nm～1100nm，满足不同的应用场景，特别是弱光条件下的需求。
本发明授权一种II-VI族化合物薄膜/硅并联叠层的太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种II-VI族化合物薄膜硅并联叠层的太阳电池，其特征在于包括以下结构：顶电池基本结构为n型负极透明导电薄膜高阻透明导电薄膜型窗口层薄膜p型II-VI族化合物吸收层薄膜p+型背场层薄膜正极背电极层薄膜，顶电池整体厚度小于1微米，顶电池吸收层带隙可调1.55ev～1.8eV，光谱响应范围为300nm至690～800nm，整个顶电池的透光率可以调整20％～60％，底电池基本结构为p-i-n或n-i-p晶硅电池，顶电池与底电池采用透明聚合物材料进行粘接，二者采用并联的方式进行电极区连接。
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