正泰新能科技有限公司马玉超获国家专利权
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龙图腾网获悉正泰新能科技有限公司申请的专利一种SE结构制备方法及太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310166700.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种SE结构制备方法及太阳能电池是由马玉超;李红博;何保杨;蔡永梅;何胜;徐伟智设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SE结构制备方法及太阳能电池在说明书摘要公布了：本申请公开了一种SE结构制备方法及太阳能电池，属于太阳能电池领域，该方法包括：在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜；在聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆；硼浆透过聚合物薄膜与N型晶体硅接触；通过激光辐照硼浆，将硼浆内的硼离子掺杂进入N型晶体硅内，在金属接触区形成重掺区域；对N型晶体硅的正面进行清洗，去除聚合物薄膜；对硼浆在清洗后的N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构。本申请通过聚合物薄膜阻挡，一方面可以防止激光时离子溅射，使重掺区域宽度窄化且可控；另一方面可以有效的减少由于激光直掺造成的损伤及复合中心，从而有效改善电池开压及接触电阻。
本发明授权一种SE结构制备方法及太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种SE结构制备方法，其特征在于，包括： 在N型晶体硅的正面印刷聚合物薄膜； 在所述聚合物薄膜上的金属接触区印刷硼浆；所述硼浆透过所述聚合物薄膜与所述N型晶体硅接触； 通过激光辐照所述硼浆，将所述硼浆内的硼离子掺杂进入所述N型晶体硅内，在所述金属接触区形成重掺区域； 对所述N型晶体硅的正面进行清洗，去除所述聚合物薄膜； 对所述硼浆在清洗后的所述N型晶体硅的正面进行硼扩散，在非金属接触区形成轻掺区域，以形成SE结构。
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