西安水木芯邦半导体设计有限公司来新泉获国家专利权
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龙图腾网获悉西安水木芯邦半导体设计有限公司申请的专利一种带隙基准电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116301175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310052596.9,技术领域涉及:G05F1/567;该发明授权一种带隙基准电路是由来新泉;李虎越;王宇恒;李文岑;李继生设计研发完成,并于2023-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带隙基准电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种带隙基准电路,包括:启动电路,与外部电源连接,用于产生启动电流;多阶温度补偿电路,与外部电源连接,包括多个级联的温度补偿电路;基准电路,包括产生电路以及调节输出电路,所述产生电路与启动电路连接,以在启动电流的作用下工作,并将根据外部电源产生的第一输出电压传输至多阶温度补偿电路,以使得多个级联的温度补偿电路对第一输出电压进行补偿,所述调节输出电路与多阶温度补偿电路连接,以根据补偿后的第一输出电压输出基准电压。本发明带隙基准电路中通过多个温度补偿电路级联,可实现多段补偿,从而可提高调节输出电路输出的基准电压的精度。
本发明授权一种带隙基准电路在权利要求书中公布了:1.一种带隙基准电路,其特征在于,包括: 启动电路,与外部电源连接,用于产生启动电流; 多阶温度补偿电路,与外部电源连接,包括多个级联的温度补偿电路; 基准电路,包括产生电路以及调节输出电路,所述产生电路与启动电路连接,以在启动电流的作用下工作,并将根据外部电源产生的第一输出电压传输至多阶温度补偿电路,以使得多个级联的温度补偿电路对第一输出电压进行补偿,所述调节输出电路与多阶温度补偿电路连接,以根据补偿后的第一输出电压输出基准电压; 其中,每一所述温度补偿电路包括第九电容、第十PMOS管、第十一PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管、第二十六PMOS管、第九三极管、第十三极管和第六NMOS管;所述第十PMOS管、第十一PMOS管、第二十PMOS管及第二十一PMOS管的源极均连接外部电源,所述第九三极管的基极连接第十三极管的基极和第二十PMOS管的漏极,所述第二十一PMOS管的栅极和源极连接,并连接第二十PMOS管的栅极和第二十六PMOS管的源极,所述第九三极管的集电极连接第十PMOS管的漏极,所述第十三极管的集电极连接第十一PMOS管的漏极,该第十PMOS管和第十一PMOS管的栅极均连接基准电路,所述第十三极管的集电极还连接所述第二十六PMOS管的栅极,所述第九三极管的发射极通过第六NMOS管接地,且该第九三极管的发射极作为所述温度补偿电路的输出端,所述第九电容的一端连接第六NMOS管的栅极和第九三极管的集电极,所述第九电容的另一端、第十三极管的发射极和第二十六PMOS管的漏极作为所述温度补偿电路的输入端,用于连接基准电路或另一温度补偿电路的输出端。
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