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龙图腾网获悉北京卫星环境工程研究所申请的专利一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211464993.9，技术领域涉及：H05F1/02；该发明授权一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法是由徐焱林;聂翔宇;杜嘉余;王思展;刘业楠;王志浩设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法，采用紫外光源辐照绝缘材料试样，使其产生辐射诱导电导率，通过电荷对地泄放的方式将电荷排出。本发明中，采用紫外光源辐照绝缘材料试样，使其产生辐射诱导电导率，通过电荷对地泄放的方式将电荷排出，可有效消除绝缘材料试样表面积累电荷形成的表面电位，无需另外配备电子枪、离子源等价格昂贵的设备，降低了电位控制的成本，无复杂的外部电路设计，增加了测试可靠性；利用紫外辐照方式实现高真空条件下绝缘材料表面电位控制，无需接触样品表面即可完成中和表面电位操作，避免破坏样品表面形貌进而影响其二次电子发射特性，增加了测试稳定性，提高二次电子发射系数测量的准确性。

本发明授权一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法在权利要求书中公布了：1.一种高真空下绝缘材料表面电位控制方法，其特征在于，采用紫外光源（1.2）辐照绝缘材料试样，使其产生辐射诱导电导率，通过电荷对地泄放的方式将电荷排出，具体包括以下步骤： S1.通过电子枪（1.1）发射一次电子，绝缘材料样品预期二次电子发射系数小于1时，通过与样品台（1.5）连接的电压表（1.6）测试绝缘体样品（1.4）表面电压，将绝缘体样品（1.4）表面的电位增加至V1； S2.关闭电子枪（1.1），使用电位探头（1.3）记录绝缘体样品（1.4）表面电位随时间的衰减曲线； S3.然后测试紫外光源（1.2）对表面电位消除效果进行测试，首先测量绝缘表面电阻、体电阻的初始值； S4.再次通过电子枪（1.1）将绝缘体样品（1.4）表面的电位增加至V1，然后关闭电子枪（1.1），开启紫外光源（1.2），设定紫外光源（1.2）波长为λ1，强度为I1，辐照绝缘体表面，记录绝缘体样品（1.4）表面电位随时间的衰减情况； S5.紫外辐照后，经过一段时间恢复，通过测量绝缘表面电阻、体电阻的值，比较辐照之前的值，记录变化量Δ； S6.更换绝缘体样品（1.4），测量绝缘表面电阻、体电阻的初始值，改变上述紫外光源（1.2）波长，试验方式同步骤S4、步骤S5，记录不同紫外光源（1.2）波长辐照时表面电位随时间的衰减情况； S7.更换绝缘体样品（1.4），测量绝缘表面电阻、体电阻的初始值，改变上述紫外光源（1.2）强度，试验方式同步骤S4、步骤S5，记录不同紫外光源（1.2）强度辐照时表面电位随时间的衰减情况； S8.根据试验过程分析表面电位所需泄放时间t0，根据步骤S6、步骤S7测试结果，表面充电电位V降至V0时所需时间Δtt0，即此时紫外光源（1.2）的设置符合要求，可用于确定所需紫外光源（1.2）最低能量及最低强度； S9.根据绝缘体样品（1.4）的物理性质，分析获得表面电阻及体电阻允许的变化范围Δ10、Δ20，测量每次经紫外辐照后，经过一段时间恢复，绝缘体样品（1.4）表面电阻、体电阻的值，与初始值变化量Δ1，Δ2变化量，若Δ1Δ10，Δ2Δ20，认为绝缘体样品（1.4）损伤在可接受范围内，此可用于确定紫外光源（1.2）能量、强度可允许采用的最高能量及最高强度。

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