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龙图腾网获悉西北核技术研究所申请的专利一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115600473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211380003.3，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法是由赵雯;陈伟;罗尹虹;郭晓强;丁李利;张凤祁;王坦;江新帅;徐静妍设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法在说明书摘要公布了：本发明涉及空间辐射效应及加固技术领域，具体涉及一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法，用于解决现有针对单粒子翻转再恢复的数值仿真未考虑周围存储单元的耦合作用，无法准确预测翻转再恢复对多单元翻转的影响，以及由于单粒子翻转再恢复在存储阵列中的发生位置是随机的，同时其过程持续时间很短，响应过程难以通过实验直接获取的不足之处。该实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法将实验和仿真有机结合，实现重离子宽束实验、重离子微束实验和数值仿真的优势互补，可更全面细致地揭示单粒子翻转再恢复的产生机理和影响因素。

本发明授权一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法在权利要求书中公布了：1.一种实验与仿真相结合的单粒子翻转再恢复分析方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、通过测试系统，在重离子加速器单粒子效应实验终端上对待测存储器7进行单粒子翻转再恢复的重离子宽束实验，获取待测存储器7不同测试条件下的单粒子翻转再恢复拓扑图形； 所述测试系统包括直流电源1、测试主板2、控制计算机3和辐照板4；所述重离子加速器单粒子效应实验终端包括重离子束流引出端5和样品架6；所述直流电源1输出端与测试主板2第一输入端连接，测试主板2第一输出端、测试主板2第二输出端分别连接控制计算机3、辐照板4输入端，辐照板4底面固定在样品架6上，辐照板4顶面插接或焊接待测存储器7，待测存储器7的晶圆位于重离子束流引出端5离子束斑覆盖范围内；所述待测存储器7包括存储阵列和外围电路，所述存储阵列由多个按照一定规则排列的相同存储单元组成；所述测试条件包括存储器工作状态和离子入射条件，存储器工作状态包括电压偏置、测试图形，离子入射条件包括离子线性能量传输值、离子入射角度；所述重离子宽束实验包含多个轮次测试，每改变一个测试条件参数值，就进行新的轮次测试，直至预设的所有测试条件参数值都更换完成； 步骤2、针对步骤1中的每轮次测试，将获取的单粒子翻转再恢复拓扑图形所对应的存储阵列位置在存储阵列位图中绘制出来；比较存储阵列不同区域的单粒子翻转再恢复情况，统计出典型单粒子翻转再恢复拓扑图形；所述典型单粒子翻转再恢复拓扑图形是指拓扑图形呈现非连续性特征； 步骤3、基于步骤2中统计的典型单粒子翻转再恢复拓扑图形，定位其在存储阵列中发生的区域，即局部存储阵列；结合重离子宽束实验测试条件，利用测试系统对典型单粒子翻转再恢复拓扑图形所在的局部存储阵列进行单粒子翻转再恢复的重离子微束实验，获取各局部存储阵列单粒子翻转再恢复的精确敏感位置； 步骤4、按照晶体管→存储单元→局部存储阵列的递进层级，构建并校准步骤3所定位的各局部存储阵列对应的局部存储阵列器件仿真模型；在各局部存储阵列器件仿真模型中添加重离子导致的单粒子效应物理模型，针对各局部存储阵列开展单粒子翻转再恢复数值仿真，分析单粒子翻转再恢复的产生机理； 步骤5、结合步骤1重离子宽束实验结果和步骤4单粒子翻转再恢复数值仿真结果，分析单粒子翻转再恢复的关键影响因素。

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