买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115712227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211370699.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置是由韩丹丹;韦亚一;邓森设计研发完成，并于2022-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置，涉及光刻分辨率增强技术领域。方法包括：通过对光刻胶内倏逝波的场强衰减特性进行建模分析，确定近场光学邻近效应对目标图形的有效作用范围；将目标图形作为表面等离子体光刻的输入图像，确定在预设曝光条件下目标图形对应的光刻胶内目标曝光图形的精确度和目标补偿曝光剂量；确定目标图形上需要进行补偿调制的区域，在有效作用范围内基于目标补偿曝光剂量对近场光学邻近效应进行补偿矫正，得到矫正后的校正图形；将校正图形作为输入图像，并将在预设曝光条件下提取光刻胶内校正曝光图形的轮廓进行比较，确定校正曝光图形的精确度和成本函数曲线数据。

本发明授权基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于倏逝波场强衰减特性调制式的光学邻近效应校正方法，其特征在于，所述方法包括： 对表面等离子体光刻中到达光刻胶表面的三维场强分布数据进行建模分析，确定点扩展函数； 基于所述点扩展函数对所述光刻胶内形成的二维图形的曝光图形进行分析，确定倏逝波的场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系； 基于所述场强衰减特性和曝光图形质量的对应关系，通过对所述光刻胶内倏逝波的场强衰减特性进行建模分析，确定近场光学邻近效应对目标图形的有效作用范围； 将所述目标图形作为所述表面等离子体光刻的输入图像，确定在预设曝光条件下所述目标图形对应的所述光刻胶内目标曝光图形的精确度和目标补偿曝光剂量； 确定所述目标图形上需要进行补偿调制的区域，在所述有效作用范围内基于所述目标补偿曝光剂量对所述近场光学邻近效应进行补偿矫正，得到矫正后的校正图形； 将所述校正图形作为输入图像，并将在所述预设曝光条件下提取所述光刻胶内校正曝光图形的轮廓进行比较，确定所述校正曝光图形的精确度和成本函数曲线数据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。