武汉科技大学吴玲获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉科技大学申请的专利Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115710728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211347751.1，技术领域涉及：C25B11/093；该发明授权Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法是由吴玲;刘栩;朱梓玲;颜家保;李静;俞丹青设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法。它依次包括以下步骤：（1）平面或者曲面TiO2电极的制备：采用喷雾热解法在ITO玻璃上制备TiO2电极或者SiO2@TiO2二维光子晶体，作为基底；（2）Au纳米颗粒的沉积：利用真空蒸镀法，通过严格限定蒸发速率，一步将Au纳米颗粒沉积在基底上，即制得所述的Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极。该制备方法优化了Au纳米颗粒沉积的流程，避免后续耗能较高且影响Au纳米颗粒物性的焙烧过程，同时还能可控调节Au纳米颗粒的粒径，得到可见光吸收范围宽，吸光能力强，光电性能优异的等离子体电极。
本发明授权Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Au纳米颗粒修饰的TiO2等离子体复合电极的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤： 1）平面或者曲面TiO2电极的制备 采用喷雾热解法在ITO玻璃上制备TiO2电极或者SiO2@TiO2二维光子晶体，作为基底； 2）Au纳米颗粒的沉积 利用真空蒸镀法，通过控制蒸发速率，一步将Au纳米颗粒沉积在基底上；所述真空蒸镀法中蒸镀采用钨舟，Au线为蒸发源，控制蒸镀过程中的沉积速率为0.005~0.03nm·s-1，蒸镀时间为200~2500s，蒸镀压力为8×10-5~4×10-4Pa。
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