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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种测试电路及latch up规则验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115575789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211298140.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种测试电路及latch up规则验证方法是由陈蓓;范茂成设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种测试电路及latch up规则验证方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种测试电路及latchup规则验证方法，反相器包括顺次连接的第一至第N反相器；Tie‑high电路；第一至第N反相器中每个反相器分别包括相互连接的一个NMOS和一个PMOS；第一反相器的输入端连接Tie‑high电路的输出端；第N反相器的输出端悬空；Tie‑high电路包括：第一、第二NMOS和第一、第二PMOS；第一、第二PMOS的栅极相连；第一、第二PMOS的bulk端与各自的源极分别连接至电压VDD；第一PMOS的漏极作为Tie‑high电路的输出端；第二PMOS的漏极连接至第二NMOS的栅极；第一、第二NMOS的漏极、第一NMOS的栅极共同连接至第一、第二PMOS的栅极；第一、第二NMOS的bulk端以及各自的源极分别接地；第一至第N反相器中每个反相器的PMOS的源极连接电压VDD；第一至第N反相器中每个反相器的NMOS的源极接地。

本发明授权一种测试电路及latch up规则验证方法在权利要求书中公布了：1.一种测试电路，其特征在于，至少包括反相器及Tie-high电路； 所述反相器包括顺次连接的第一至第N反相器；所述第一至第N反相器中每个反相器分别包括相互连接的一个NMOS和一个PMOS；所述第一反相器的输入端连接所述Tie-high电路的输出端； 所述第N反相器的输出端悬空； 所述Tie-high电路包括：第一、第二NMOS和第一、第二PMOS；所述第一、第二PMOS的栅极相连；所述第一、第二PMOS的bulk端与各自的源极分别连接至电压VDD；所述第一PMOS的漏极作为所述Tie-high电路的输出端；所述第二PMOS的漏极连接至所述第二NMOS的栅极；所述第一、第二NMOS的漏极、第一NMOS的栅极共同连接至所述第一、第二PMOS的栅极；所述第一、第二NMOS的bulk端以及各自的源极分别接地；所述第一至第N反相器中每个反相器的所述PMOS的源极连接电压VDD；所述第一至第N反相器中每个反相器的所述NMOS的源极接地； 所述测试电路用于通过以下方式进行latchup规则验证： 首先将所述电压VDD的值置为VCC；测试所述电压VDD到地电压VSS之间的电流值Idd1；然后将所述电压VDD的值加至1.5VCC，之后再降至VCC，测试所述电压VDD到地电压VSS之间的电流值Idd2；将所述电流值Idd1与所述电流值Idd2进行比较，若所述电流值Idd2大于所述电流值Idd1的1.4倍，则所述测试电路在步骤三中的加压过程中发生latchup。

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