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龙图腾网获悉深圳市同一方光电技术有限公司申请的专利高中心亮度光源的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211274865.8，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权高中心亮度光源的制造方法是由杨帆;刘建强;陶洪波;郭学风;吴奇设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本高中心亮度光源的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光源技术领域，公开了高中心亮度光源的制造方法，包括以下制造步骤：1、基板上具有内区域以及外区域，外区域与内区域之间具有隔离区域，隔离区域的宽度大于0.7mm；2、内区域上固晶多个内发光芯片，相邻的内发光芯片之间具有内间隔；外区域上固晶多个外发光芯片，相邻的外发光芯片之间具有外间隔，外间隔大于内间隔；3、发光区域的外周设置围坝；4、围合区域内填充荧光胶，荧光胶覆盖了发光区域；通过将多个内发光芯片固晶在内区域，多个外发光芯片固晶在外发光区域，同时内区域中相邻发光芯片的间隔小于外区域相邻发光芯片间隔，使得这样制造的光源具有中心照度强，中心光强大的优点。

本发明授权高中心亮度光源的制造方法在权利要求书中公布了：1.高中心亮度光源的制造方法，其特征在于，包括以下制造步骤： 1）、提供基板，所述基板上具有发光区域，所述发光区域包括内区域以及环绕在内区域外周的外区域，所述内区域位于发光区域的中部，所述外区域与内区域之间具有环形的隔离区域，所述隔离区域环绕在内区域的外周布置，所述隔离区域的宽度大于0.7mm； 2）、在所述内区域上固晶多个内发光芯片，沿着所述内区域的径向，相邻的内发光芯片之间具有内间隔；在所述外区域上固晶多个外发光芯片，沿着所述外区域的径向，相邻的外发光芯片之间具有外间隔，所述外间隔大于内间隔； 3）、在所述发光区域的外周设置围坝，所述围坝环绕在发光区域的外周，所述围坝环绕围合形成围合区域，所述发光区域位于围合区域的内部； 4）、在所述围合区域内填充荧光胶，所述荧光胶覆盖了发光区域，且覆盖了内发光芯片以及外发光芯片； 所述内区域的中心位置与发光区域的中心位置重合，所述制造步骤2）中，所述内区域的中心位置布置有所述内发光芯片； 所述制造步骤2）中，多个所述内发光芯片呈环绕状布置，形成内发光环，所述内发光环环绕在内区域的中心位置的外周；所述内发光环中，相邻的内发光芯片之间具有内发光间隔； 所述制造步骤4）中，在所述发光区域布置荧光胶之前，在所述隔离区域的底部凸设阻挡光透射过去的隔光层，所述隔光层具有背离基板布置的上端面，所述隔光层的上端面分别高于内发光芯片以及外发光芯片布置； 所述隔光层的上端面朝下凹陷，形成多个相邻布置的凹陷环槽，所述凹陷环槽沿着隔离区域的环绕方向环绕布置，所述凹陷环槽的底部分别高于内发光芯片以及外发光芯片布置； 在所述隔光层上布置透光层，所述透光层的底部嵌入在隔光层的多个凹陷环槽中，所述透光层的顶部朝上延伸； 当布置所述隔光层以及透光层后，再在所述发光区域内点荧光胶，所述荧光胶夹持着隔光层以及透光层，且所述透光层的顶部高于荧光胶布置； 所述透光层的透光率小于荧光胶的透光率，沿着透光层的两侧至透光层的中部的方向，所述透光层的透光率逐渐增大； 所述荧光胶包括覆盖在内区域中的内部胶以及覆盖在外区域的外部胶，所述内部胶的外周与透光层的内侧之间涂覆有颗粒状的内漫射层，所述外部胶的内周与透光层的外侧之间涂覆有颗粒状的外漫射层。

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